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【求助大?！浚簽槭裁碔GBT會有拖尾電流

書上解釋說是vge小于門檻電壓后（IGBT關斷后）n-漂移區的空穴要復合，但是n-漂移區摻雜濃度低，電子少，所以拖尾電流時間長。我的問題是：整個IGBT器件在導通的狀態下電子數量也等于空穴數量，為什么空穴要復合？另外，為什么vge小于門檻電壓后，ic就會減小而不是維持導通狀態的電流大小呢？
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dorislove
LV.1
2
2010-04-01 09:39

你看看這個

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LTTY
LV.3
3
2010-04-01 09:57

IGBT的主導元件是厚基區GTR，那家伙有基區儲存效應，轉制后的N區不能立刻恢復到P型。

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ieeer
LV.3
4
2010-04-01 11:12
@LTTY
IGBT的主導元件是厚基區GTR，那家伙有基區儲存效應，轉制后的N區不能立刻恢復到P型。
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