使用三個(gè)橋臂模塊做脈沖變流器,上電前未仔細(xì)檢查電路,結(jié)果由于IGBT柵極懸空開(kāi)路,(集電極與發(fā)射極間有500v左右高電壓),導(dǎo)致IGBT炸毀!!求教事故原因的具體分析!!
從書(shū)上一般只能查到結(jié)論,就是說(shuō)這樣做的話會(huì)發(fā)生炸毀事故,但是誰(shuí)能把具體原因說(shuō)一下啊??強(qiáng)烈期待!!希望能夠給我發(fā)信,shotel@sohu.com
感激不盡!!
求教IGBT燒毀的具體原因!!
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給你解釋一下mosfet的同樣現(xiàn)象,看mosfet的簡(jiǎn)化模型就可以知道,當(dāng)門(mén)極
懸空的時(shí)候,如果在漏源極加電壓就會(huì)對(duì)門(mén)極電容充電,讓門(mén)極電壓逐漸升高
導(dǎo)致誤導(dǎo)通.IGBT模型要復(fù)雜多,但是基本上也是這種類(lèi)似原因造成的.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085020561.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
懸空的時(shí)候,如果在漏源極加電壓就會(huì)對(duì)門(mén)極電容充電,讓門(mén)極電壓逐漸升高
導(dǎo)致誤導(dǎo)通.IGBT模型要復(fù)雜多,但是基本上也是這種類(lèi)似原因造成的.

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@sometimes
給你解釋一下mosfet的同樣現(xiàn)象,看mosfet的簡(jiǎn)化模型就可以知道,當(dāng)門(mén)極懸空的時(shí)候,如果在漏源極加電壓就會(huì)對(duì)門(mén)極電容充電,讓門(mén)極電壓逐漸升高導(dǎo)致誤導(dǎo)通.IGBT模型要復(fù)雜多,但是基本上也是這種類(lèi)似原因造成的.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085020561.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
謝謝!!非常感謝!!如果方便,能給推薦些相關(guān)資料嗎?
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@sometimes
給你解釋一下mosfet的同樣現(xiàn)象,看mosfet的簡(jiǎn)化模型就可以知道,當(dāng)門(mén)極懸空的時(shí)候,如果在漏源極加電壓就會(huì)對(duì)門(mén)極電容充電,讓門(mén)極電壓逐漸升高導(dǎo)致誤導(dǎo)通.IGBT模型要復(fù)雜多,但是基本上也是這種類(lèi)似原因造成的.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/17/1085020561.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
回答的簡(jiǎn)單易懂,c2,c3串聯(lián)分壓,c3上的電壓超過(guò)Vth+就危險(xiǎn)
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@yimu
不知你的IGBT炸管是真的炸裂了嗎我的IGBT也少了同樣的問(wèn)題為了測(cè)試不控整流模塊的好壞,IGBT門(mén)極懸空讓后電壓慢慢升高,升到5、60V時(shí)能明顯的聽(tīng)到開(kāi)關(guān)的聲音,懷疑IGBT在工作,當(dāng)母線電壓加到100V左右,三相工頻電進(jìn)線的一個(gè)保險(xiǎn)管燒壞撤電源發(fā)現(xiàn)IGBT的三個(gè)引腳都是通的,但外表很好沒(méi)有炸管,是電壓不太高沒(méi)有造成炸管嗎?
IGBT的門(mén)極要焊接保護(hù)電路,即使IGBT不用在儲(chǔ)存狀態(tài)保護(hù)電路也不能拆去,使用中有了可靠的過(guò)流保護(hù),過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù),不管如何都不會(huì)損壞IGBT管子.
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@長(zhǎng)天一笑
IGBT的G極不能懸空,當(dāng)C極電壓升高時(shí),由于存在結(jié)電容的原因,G極同樣會(huì)升高,當(dāng)要關(guān)閉IGBT時(shí),必須使G極接E極,若通過(guò)一個(gè)電阻與E極相接時(shí),電阻要足夠小,要不然同樣會(huì)壞的.
我也在做igbt的過(guò)流過(guò)壓保護(hù),有誰(shuí)有簡(jiǎn)單點(diǎn)的現(xiàn)成電路能給小弟參考一下嗎?我的板子都畫(huà)好了,但是沒(méi)有保護(hù),哈哈.蔡鳥(niǎo)一個(gè).多謝
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@syf5401529
電阻小效果好,但要分流驅(qū)動(dòng)電流,一般要加雙向穩(wěn)壓管保護(hù).有了各種保護(hù)在新產(chǎn)品試制中,有意無(wú)意的產(chǎn)生過(guò)上百次的過(guò)流和短路,沒(méi)有損壞包括IGBT在內(nèi)的任何電子元件.
這種情況加雙向穩(wěn)壓管保護(hù)根本無(wú)效,因?yàn)殪o電在沒(méi)有達(dá)到穩(wěn)壓管導(dǎo)通時(shí),IGBT已經(jīng)足以導(dǎo)通了。
因此必須有一個(gè)10k左右的電阻并在G-S之間。
所以在工藝上,這個(gè)電阻應(yīng)該焊在管腳上,而不是線路板上。
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和MOS一樣,柵極電阻極大,可以做一個(gè)實(shí)驗(yàn):
用指針萬(wàn)用表Rx10k檔(數(shù)字表不行),黑筆"D",紅筆"S",這是指針已經(jīng)偏轉(zhuǎn)了,再用手指碰一下"G",指針立刻向右?guī)缀醯降祝f(shuō)明管子已經(jīng)導(dǎo)通了。
盡管此后“G”上已經(jīng)沒(méi)有任何東西了,但"G"上積累的電荷可以一直維持導(dǎo)通狀態(tài)。
直到你將"G"和"S"短路一下,才能恢復(fù)截止。
所以當(dāng)"G"懸空時(shí),一旦加上母線電壓,就會(huì)因管子的寄生電容存在,會(huì)對(duì)"G"充電,使得管子導(dǎo)通,從而被炸掉。
如果這時(shí)"G"和"S"間有一個(gè)10k左右的泄放電阻,"G"無(wú)法積累電荷,因此就不會(huì)出現(xiàn)這種情況了。
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