Microsemi cooperation ,作為半導體產業和電子器件的先行者,全球最大POE輸電端解決方案供應商之一,全球性的電源管理、電源調理、瞬態抑制和射頻/微波半導體器件供應商,是全球最大POE供應商之一, 擁有優秀的PWM 控制IGBT．POE輸電端解決方案、CCFL、LED Backlight driver顯示器驅動器等.占據著POE模塊電源的大部分市場份額．據Microsemi亞洲區域經理Steven  Hemmah介紹,"Microsemi產品主要有IGBT,PWM控制器、LED顯示器驅動等,主要應用兩大領域:工業和消費電子,包括通訊、高速公路、汽車、大功率電源、UPS等,為電子產品提供半導體解決設計方案．"
該公司生產的高可靠模擬IC和分立半導體器件,被應用于衛星、遠程通訊、計算機/外圍、軍事/航空、工業/商業、醫療等領域.

Microsemi公司在美國擁有多個制造廠,另外在加州、德州、愛爾蘭、墨西哥、香港、印度等國家和地區提供生產支持.公司的銷售網絡遍布全球.
一、封裝形式.
1. 陶瓷雙列直插封裝Ceramic Dual-In-Line (DIP),
“Y”型: 8 引腳
“J”型: 14, 16 and 18引腳
陶瓷扁平封裝( Cerpac ) , “ F ”型: 10 , 14 , 16 , 20和24引腳
            
2. 無鉛陶瓷芯片載體
   (壽命周期) , “ L ” : 20針

3. 金屬罐裝(Metal Cans)
低電流 (500ma)
TO-39, “T”型: 3 pin
TO-99, “T”型: 8 pin
TO-100, “T”型: 10 pin
中級電流(1A)
TO-66, “R”型: 3 and 5 pin
高電流 (>1.5A)
TO-3, “K”型: 3 pin
(500ma)

4. Metal Case with mounting tab,  
TO-257: 3 pin
隔熱材質, “IG” 型
非隔熱材質, “G”型
  

一、整流橋產品分為以下三類:

1單相整流橋:可提供電流額定值0.5~50A,電壓額定值200~1000V的各種不同封裝的產品.
2三相整流橋:可提供電流額定值30~35A,電壓額定值600~1600V的各種不同封裝的產品.
3整流橋模塊:可提供電流額定值30~200A,電壓額定值800~1600V的單相、三相整流橋模塊.

二、功率模塊分為以下三類
1MOSFET模塊:各種不同拓撲結構的MOSFET/FREDFET/COOLMOS模塊,包括半橋、全橋、單開關、三相橋、不對稱橋、升壓斬波、降壓斬波、雙升壓斬波、雙降壓斬波、雙共源極,三—雙共源極,三—半橋等拓撲結構.最大額定電壓/電流可達到1200V/126A(80度電流).
2IGBT模塊:各種不同拓撲結構的GF/GN系列IGBT模塊,包括半橋、全橋、單開關、三相橋、不對稱橋、升壓斬波、降壓斬波、雙升壓斬波、雙降壓斬波、雙共發射極,三—雙共發射極,三—半橋等拓撲結構.
3FRED模塊:各種不同拓撲結構的FRED/標準整流器模塊,包括單二極管、半橋、共陽、共陰、全橋、三相整流橋等結構.

三、RF功率MOSFET分為下面幾類
1高電壓RF功率MOSFET:RF功率MOSFET的ARF系列是被優化用于要求頻率高達150MHz,工作電壓高達400V應用的產品.RF功率MOSFET歷來局限于50V或低于50V的應用.MICROSEMI通過將其高電壓MOSFET工藝技術與RF特定的芯片圖形相結合,打破了這一限制.
2驅動器和驅動器-RF MOSFET混合集成電路:RF MOSFET的性能被所選用的驅動器嚴格和精確的限制著.MICROSEMI針對RF功率MOSFET設計了專門的驅動器和驅動器-RF MOSFET混合集成電路.
3高頻RF MOSFET:RF MOSFET的VRF系列是工業標準RF晶體管的改進型替代器件,其BVDSS從工業標準的125V提高至170V,大大提高了VRF系列產品的耐用性.

四、微波功率器件分為下面兩大類
1微波二極管:包含PIN二極管、限幅二極管、肖特基二極管、變容二極管、噪聲發生二極管以及芯片電容等,其工作頻率范圍從100Hz到毫米波.產品按照工作頻率、工作電壓及結構形式的不同,形成了多系列產品.產品主要用于衰減器、調諧器、檢波器、開關和混頻等應用.
2微波功率管:包括雙極型晶體管、LDMOS和VDMOS .
主要應用于雷達、通信和電子對抗作功率放大器,其工作波段可從1MHz到3.5GHz,工作電壓從幾伏到400伏,尤其在雷達和航空電子中應用的脈沖功率管,具有當前世界最高產品水平.(如1200~1400MHz輸出功率370W,1030~1090MHz輸出功率1100W,2900~3100MHz輸出功率150W等)

五、分立功率器件分為以下幾類:
1MOSFET: MOSFET包括MOS5、MOS7、MOS8 和COOLMOS 等系列產品.
MOS5是市場公認的高性價比產品,一致性好,易并聯,具有高的雪崩能量和高可靠性;
MOS7具有更低的開關損耗和導通損耗,可以實現更高的開關頻率;
MOS8為最新推廣的的低成本高性能MOSFET;
COOLMOS具有很低的導通電阻,可以大大降低導通損耗;
2IGBT:IGBT 主要包括GP/GA、GN、GT、GF和GS系列產品.
GT/GS/GN/GF系列產品均容易并聯;
GP/GA系列IGBT分別是在MOS7/MOS8工藝基礎上形成的PT型IGBT,具有很高的開關頻率,頻率可達到100KHz,但是這兩種系列的IGBT不容易并聯使用.
GN系列為利用場終止+溝槽柵技術形成的IGBT,具有很低的導通壓降;
GT系列為NPT工藝技術IGBT,短路能力額定,適合20-60KHz應用;
GS系列是在GT工藝基礎上改進的IGBT,更適合更高頻率開關應用,頻率可達到100KHz;
GF系列為NPT技術IGBT,具有低導通損耗和高可靠性,易并聯;
3FRED:FRED主要有D、DQ、DL和肖特基等系列產品.
D系列產品為美國宇航局指定產品,具有很好的正向和反向特性,適合于輸出整流和續流等應用;
DQ系列具有更軟的恢復特性和高的額的雪崩能量,適合于PFC、續流和高頻整流應用;
DL系列具有很低的正向壓降,25度/600V FRED正向壓降只有1.25V,非常適合輸出整流應用;
肖特基產品耐壓可達到200V.