我有一個問題很疑惑:mosfet并聯

mosfet并聯是為了增大電流,可是仿真兩管漏電流之和好像只與VCC,以及負載有關,怎么樣才能看到并聯擴容的效果呢?希望這樣的問題不要讓大家見笑,不懂就問,希望各位指點迷津!!另外我的圖是否有錯?

全部回復(5)

只看樓主

正序查看

倒序查看

乞力馬扎羅的雪

LV.9

2004-05-10 09:20

???我怎么看不懂你的問題?
MOS并聯擴流是說并聯后,電路的電流可以更大,而不會導致MOS過熱或損壞.
如果電路的其他參數不變,僅增加并聯的MOS,當然不會讓總電流增加.只是每個MOS的發熱會降低.
并聯的本質是用多個小功率MOS代替一個大功率MOS.

回復

yuer_0507

LV.2

2004-05-10 09:31

@乞力馬扎羅的雪

???我怎么看不懂你的問題?MOS并聯擴流是說并聯后,電路的電流可以更大,而不會導致MOS過熱或損壞.如果電路的其他參數不變,僅增加并聯的MOS,當然不會讓總電流增加.只是每個MOS的發熱會降低.并聯的本質是用多個小功率MOS代替一個大功率MOS.

謝謝,實在不好意思,初涉這個領域,很多都不懂,實質還是沒有搞得很清楚,“兩管并聯后電流應達到單管的150%”這句話應該怎么理解?麻煩說一下,謝謝!!!!!

回復

乞力馬扎羅的雪

LV.9

2004-05-10 10:25

@yuer_0507

謝謝,實在不好意思,初涉這個領域,很多都不懂,實質還是沒有搞得很清楚,“兩管并聯后電流應達到單管的150%”這句話應該怎么理解?麻煩說一下,謝謝!!!!!

就是1+1=1.5的意思.
雙管并聯,不可能保證電流的平均分配,必須留有裕量,保證可靠.

回復

老菜

LV.5

2004-05-10 10:47

相比于其他開關器件,M0S管幾乎是最適合并聯了.
并聯后的導通電阻與電阻并聯一樣計算.

并聯的管子最好性能一致.但并不苛刻,也無須留太大余量.
因為M0S管有正溫度糸數的特性,并聯時能夠自適應,能安全的能者多勞,
理論上,并聯的小團體中誰過熱了,會自動把電流均出去,由不熱的接替.
實際上也就不會有誰特別熱了.

回復