vmos和umos 在結構上的區別
使用和結構上面有什么區別呢?請高手指教
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@b.r.g.j.wallace航天電源
VMOS適合大功率運行,和一般的小公率的mosfet不同,表面溝道不同,Vmose具有垂直導電功能.Vmos的電流流向不是沿著表面橫向流動,而是垂直表面的縱向運動;VMOS管的漏區面積大,散熱面積大,溝道可以做的比較短,且利用集成工藝將多個溝道并聯,固允許較大的IC流過,可以達到300A;因為輕羼雜的外沿層的作用,VMOSFET的承受反向壓降較高,上千V;在VMOS的基礎上,出項的雙擴散MOSFET,(DMOS).此類管在高壓,大電流,速度快方面又有了提高...待續...
VMOS或UMOS﹐即V型槽或U型槽MOS,利用特定晶向si的擇優腐蝕特性,把MOS作在V型槽或者U型槽內,而利用擴散,離子注入或外延方法控制其溝道長度,使其達到亞微米的水平,以實現起的高速度,對縮小芯片的面積也有意義;
VMOS和UMOS應用差不多,結構相差不大,UMOS技術更先進一些.,.溝結構
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VMOS或UMOS﹐即V型槽或U型槽MOS,利用特定晶向si的擇優腐蝕特性,把MOS作在V型槽或者U型槽內,而利用擴散,離子注入或外延方法控制其溝道長度,使其達到亞微米的水平,以實現起的高速度,對縮小芯片的面積也有意義;VMOS和UMOS應用差不多,結構相差不大,UMOS技術更先進一些.,.溝結構
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