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請問mosfet價格

190~264V輸入的30W反激式電源,MOSFET要用到800V耐壓的,請問有誰用過SPP04N80C3,SPP04N80C3,IRFBE20,IRFIBE30G,請告訴我價格,
另請教各位我的這個產品可否用650V的MOSFET?我想將反射電壓取低些,100V左右是否用650V的就可以了,兩者各有什么憂缺點?
請各位大俠不吝賜教.
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曉凡
LV.4
2
2005-06-09 08:02
mosfet耐壓值的大小取決于輸入電壓,輸出電壓,變壓器變比&一次側漏電感四個分量,我不明白為什么你要選用800V耐壓的管子;
你得告訴我們更詳細的規格才好幫你啊!
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szprime
LV.3
3
2005-06-09 08:37
@曉凡
mosfet耐壓值的大小取決于輸入電壓,輸出電壓,變壓器變比&一次側漏電感四個分量,我不明白為什么你要選用800V耐壓的管子;你得告訴我們更詳細的規格才好幫你啊!
輸入190~264V,輸出20V,2A,我按最低電壓190Vac X 1.3 =247Vdc計算匝比要12:1呀,我取10:1,那么反射電壓也就很高了,200V,有人說反射電壓取低些,比如100V左右,那么匝比才5:1,這樣的話,正常190~264輸入,占空比才開到1/3呀,甚至更小,P.F.值很低,Ip很大啊,這是我的理解,還請指教,謝謝!
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szprime
LV.3
4
2005-06-09 08:39
@szprime
輸入190~264V,輸出20V,2A,我按最低電壓190VacX1.3=247Vdc計算匝比要12:1呀,我取10:1,那么反射電壓也就很高了,200V,有人說反射電壓取低些,比如100V左右,那么匝比才5:1,這樣的話,正常190~264輸入,占空比才開到1/3呀,甚至更小,P.F.值很低,Ip很大啊,這是我的理解,還請指教,謝謝!
我之所以說30W,是因為輸出長期是15V,2A,只是短時間工作在20V,2A
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szprime
LV.3
5
2005-06-09 08:45
@szprime
我之所以說30W,是因為輸出長期是15V,2A,只是短時間工作在20V,2A
還請問:變壓器漏感的問題,一般說夾層繞法漏感低,但每個繞組的層數對漏感是否也很大影響啊?我的初級要用三層,次級兩層,EI28的芯,先饒兩層在里面,中間夾兩層次級外面再饒一層初級,這樣漏感一般有多大呢??%.請各位大俠賜教!
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szprime
LV.3
6
2005-06-09 08:52
@曉凡
mosfet耐壓值的大小取決于輸入電壓,輸出電壓,變壓器變比&一次側漏電感四個分量,我不明白為什么你要選用800V耐壓的管子;你得告訴我們更詳細的規格才好幫你啊!
還請問:
Mosfet 的Vds需承受的電壓:最高輸入電壓370Vdc+反射電壓+漏感所造成的尖蜂電壓(一般怎么確定或控制呢?)+富余量(一般設為多大為安全呢?)

我只知道前兩個量,后面兩個我不清楚,所以不知怎么確定Mosfet的Vds啊,
變壓器還沒做,PCB已發出打版了,還清各位賜教,好讓我今天定下變壓器和Mosfet的參數啊,先謝謝各位高手了.
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2005-06-09 09:11
@szprime
還請問:Mosfet的Vds需承受的電壓:最高輸入電壓370Vdc+反射電壓+漏感所造成的尖蜂電壓(一般怎么確定或控制呢?)+富余量(一般設為多大為安全呢?)我只知道前兩個量,后面兩個我不清楚,所以不知怎么確定Mosfet的Vds啊,變壓器還沒做,PCB已發出打版了,還清各位賜教,好讓我今天定下變壓器和Mosfet的參數啊,先謝謝各位高手了.
600V以上就夠了,
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szprime
LV.3
8
2005-06-09 09:16
@場效應管
600V以上就夠了,
清問你認為我的匝比該取多少呢?反射電壓該取多少?
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2005-06-09 09:31
@szprime
清問你認為我的匝比該取多少呢?反射電壓該取多少?
375V+反射+尖峰,<600*0.9就可以了.
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曉凡
LV.4
10
2005-06-09 09:31
@szprime
還請問:Mosfet的Vds需承受的電壓:最高輸入電壓370Vdc+反射電壓+漏感所造成的尖蜂電壓(一般怎么確定或控制呢?)+富余量(一般設為多大為安全呢?)我只知道前兩個量,后面兩個我不清楚,所以不知怎么確定Mosfet的Vds啊,變壓器還沒做,PCB已發出打版了,還清各位賜教,好讓我今天定下變壓器和Mosfet的參數啊,先謝謝各位高手了.
怎么算的10:1的變比呢?
我算了一下5:1~6:1就行了,一次側采用4N60的mosfet,二次側schottky
耐壓100V以上的就行了;
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szprime
LV.3
11
2005-06-09 09:46
@曉凡
怎么算的10:1的變比呢?我算了一下5:1~6:1就行了,一次側采用4N60的mosfet,二次側schottky耐壓100V以上的就行了;
非常感謝!謝謝各位幫忙!
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szprime
LV.3
12
2005-06-09 10:16
@szprime
非常感謝!謝謝各位幫忙!
但請問這匝比設在5:1,和85~264V輸入有何區別呢?還請解惑!非常感謝!
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曉凡
LV.4
13
2005-06-09 10:44
@szprime
但請問這匝比設在5:1,和85~264V輸入有何區別呢?還請解惑!非常感謝!
問的好!在回答此問題之前要首先考慮我們根據什么來選擇duty,幾乎所有的書都在講設計反激變壓器時首先確定duty要小于0.5,但至于具體選多少確沒有說明:
實際上書上講的很是形而上學,例如大部分的書本都已在最低輸入電壓下
duty取0.45來計算,實際上這個值的選取是以變壓器效率最高,mosfet損耗最小為設計優化目標而確立的;這就是為什么你計算的變比很高的原因;
在實際設計中,大部分的電源產品都僅僅是可行性設計,即用最低的成本達到客戶的規格,那么power中成本最高的元件例如mosfet,schottky等與變壓器變比有直接聯系的器件隨著變比的變化將會有多種組合,只要duty小于0.5,就可以保證產品主體回路是穩定的,剩下的那就要看哪種變比是成本最低的嘍!
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szprime
LV.3
14
2005-06-09 11:01
@曉凡
問的好!在回答此問題之前要首先考慮我們根據什么來選擇duty,幾乎所有的書都在講設計反激變壓器時首先確定duty要小于0.5,但至于具體選多少確沒有說明:實際上書上講的很是形而上學,例如大部分的書本都已在最低輸入電壓下duty取0.45來計算,實際上這個值的選取是以變壓器效率最高,mosfet損耗最小為設計優化目標而確立的;這就是為什么你計算的變比很高的原因;在實際設計中,大部分的電源產品都僅僅是可行性設計,即用最低的成本達到客戶的規格,那么power中成本最高的元件例如mosfet,schottky等與變壓器變比有直接聯系的器件隨著變比的變化將會有多種組合,只要duty小于0.5,就可以保證產品主體回路是穩定的,剩下的那就要看哪種變比是成本最低的嘍!
非常感謝曉凡兄的解惑!這樣說從成本考率,190V~264V輸入基本也是按85V~264V設計了嗎?如單獨設計85V~135V的產品就不需更改變壓器只是換輸入電容由400V改為200V,是這樣嗎?
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曉凡
LV.4
15
2005-06-09 11:14
@szprime
非常感謝曉凡兄的解惑!這樣說從成本考率,190V~264V輸入基本也是按85V~264V設計了嗎?如單獨設計85V~135V的產品就不需更改變壓器只是換輸入電容由400V改為200V,是這樣嗎?
也可以這么說!畢竟從工程化設計角度出發,只要滿足了spec,成本盡可能的低才是最有競爭力的產品,如果僅在85~135v條件下使用,mosfet可以選用500V~550V的,schottky也可降低一個耐壓等級!我上網的時間不是很多!見諒!
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szprime
LV.3
16
2005-06-09 11:21
@曉凡
也可以這么說!畢竟從工程化設計角度出發,只要滿足了spec,成本盡可能的低才是最有競爭力的產品,如果僅在85~135v條件下使用,mosfet可以選用500V~550V的,schottky也可降低一個耐壓等級!我上網的時間不是很多!見諒!
謝謝你的答復!好,有時間我發e-mail向你請教!
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