Mos管及其體二極管電流問題的探討

有哪位大俠知道“為什么Mos管能承受的電流和它自身的體二極管能承受的電流是一樣的?”如:一個(gè)Mos管能流過10A電流,則它的體二極管同樣能流過10A電流.

   請大俠指點(diǎn).

   我個(gè)人認(rèn)為:Mos管的體二極管是在制造時(shí)自然形成的.在理論上可以把它和Mos管的另一部分區(qū)分一下,但從結(jié)構(gòu)形式來說它們是一個(gè)整體,所以它們能承受的電流自然就相同.

    各位有不同意見請指點(diǎn).不怕被拍磚!

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絕地蒼狼

LV.3

2005-06-07 23:24

沒人回,我自己頂.

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flysky1979

LV.4

2005-06-07 23:53

MOS管導(dǎo)通時(shí),溝道在表面,電流從表面流走;而做二極管用時(shí),電流經(jīng)過的是內(nèi)部的PN結(jié);所以在做MOS管導(dǎo)電時(shí),和該管的寬長比有關(guān);而體二極管承受電流的能力不但和寬長比有關(guān),而且和該MOS管源漏的結(jié)深及外延層厚度或則阱的深度有關(guān),而且,采用不同的MOS管結(jié)構(gòu)(例如梳狀、#形狀)
也有關(guān)系!

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古道中人

LV.8

2005-06-08 08:13

@flysky1979

兩種不同的導(dǎo)電方式,怎么會有必然的承受電流能力呢...暈...

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andyxm

LV.5

2005-06-08 09:06

@古道中人

兩種不同的導(dǎo)電方式,怎么會有必然的承受電流能力呢...暈...

兄臺,你知道MOS管兩端在高壓情況下(四五百伏),它的輸出電容大概為多大啊?在五十伏時(shí),差不多有500pF,但我不知道高壓情況下的容值啊,望高手指教!

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flysky1979

LV.4

2005-06-08 09:19

@andyxm

兄臺,你知道MOS管兩端在高壓情況下(四五百伏),它的輸出電容大概為多大啊?在五十伏時(shí),差不多有500pF,但我不知道高壓情況下的容值啊,望高手指教!

正常情況下,如果你需要MOS管耐壓,它應(yīng)該工作在放大區(qū),輸出電容主要是MOS管漏端和襯底形成的反向PN結(jié)電容,所以加大反偏電壓,耗盡層擴(kuò)展,你的電容應(yīng)該減小!

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古道中人

LV.8

2005-06-08 15:01

@flysky1979

你這個(gè)說法不對了,你的說法只表現(xiàn)在PN結(jié)上.

對于場效應(yīng)管,他的輸入等效電容隨著VDS增加而增加

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andyxm

LV.5

2005-06-08 15:46

@古道中人

你這個(gè)說法不對了,你的說法只表現(xiàn)在PN結(jié)上.對于場效應(yīng)管,他的輸入等效電容隨著VDS增加而增加

根據(jù)廠家提供的數(shù)據(jù)應(yīng)該是DS間電壓增加時(shí),其輸出電容是減小的,但它只提供到了DS間電壓為五十伏的情況,再高時(shí)就不知道了,還望大家多提建議啊!小弟不勝感激啊!

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flysky1979

LV.4

2005-06-08 17:41

@古道中人

你這個(gè)說法不對了,你的說法只表現(xiàn)在PN結(jié)上.對于場效應(yīng)管,他的輸入等效電容隨著VDS增加而增加

MOS管的電容分為:柵和溝道之間的氧化層電容C1=WLCox,襯底和溝道
之間的耗盡層電容C2、多晶硅柵與源漏交迭的電容、源漏和襯底的節(jié)電容;
而輸出電容主要就是DS電容,也就是PN結(jié)電容

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ck-hao

LV.4

2005-06-08 18:16

簡單的說,MOSFET的壓降Vds也就0.5V,MOSFET體二極管的壓降Vsd有1.5V,在同樣散熱條件下,你說能流過同樣大小的電流嗎???

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zjqjl

LV.6

2005-06-08 19:29

我想不會吧!

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古道中人

LV.8

2005-06-08 20:24

@flysky1979

MOS管的電容分為:柵和溝道之間的氧化層電容C1=WLCox,襯底和溝道之間的耗盡層電容C2、多晶硅柵與源漏交迭的電容、源漏和襯底的節(jié)電容;而輸出電容主要就是DS電容,也就是PN結(jié)電容

不好意思,我以為談的是輸入電容...

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flysky1979

LV.4

2005-06-08 21:32

@andyxm

可以這樣估算一下,PN結(jié)的耗盡層擴(kuò)展正比于反向電壓的1/2次方,而耗盡層電容可以看成平板電容,所以按照50V,500p計(jì)算,500V時(shí),電容為500p/3=170p,由于GD電容基本不變,所以500V時(shí),電容可能在200p~300p之間!不知道這樣說問題大不大!

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