測試兩邊電壓不要相差0.5伏.

請問你,拿那一種的測試儀器測試好呢?

晶體管直流測試儀表

用QT-2(晶體管特性分析儀)可以測,DB3回掃電壓不低于2V就可以了.

直接用萬用表,調到電阻20/200M,測兩端阻值,有阻值的不行,請注意此問題.

6樓的用你的方法可以嗎?你試過沒有呀?

當然,我去年曾經有一批產品出現線路有時工作有時不工作,花了很大力氣才找到最終的原因,就是這個原因.后來一直用這個辦法檢測DB3,到現在差不多一年了,沒有再出現過了.不過此問題很容易被人忽視...

呵呵!DB3的問題可多著呢!HECHANGLIANG兄,你見過DB3開路沒有呀,你的方法可行嗎?

當然,這只是檢測db3的一道工序

呵呵,謝謝各位大哥的指點,小弟收到了
現在用觸發電路多數是觸發管出現問題的,所以現在很煩,現在經過各位大哥的指點心情好多了,謝謝!

關于DB3幾個參數的說明
一、 VBO—最大轉折電壓,即DB3在導通前可以施加在兩端的最大電壓.作為本器件最重要的一項參數, VBO是電路設計人員首要考慮的問題.在不同的電路中對VBO的要求也是不一樣的,舉例說明:
A) 圖2的調光燈電路的工作原理為:打開開關K,即開始了對電容C的充電,當電容C上的電壓達到2CTS(DB3)的最大轉折電壓VBO后,DB3迅速導通進入負阻區,電容上的電能通過DB3對電阻R2放電,形成電壓,則觸發可控硅3CT進入導通.電容C上的充電速度取決于時間常數T,T=(R+W)*C,所以改變W的電阻值,即可改變觸發可控硅早晚,即改變其導通角.VBO的大小同樣也影響導通角.故在此電路中對VBO的對稱性要求應該要高一些.
B) 圖3是典型的節能燈電路:當電容C2上的電壓充至DB3的最大轉折電壓VBO時,DB3迅速導通進入負阻區,電容上的電能通過DB3、V2的發射結對電阻放電,將V2迅速帶入飽和狀態,并將燈管點亮.值得注意的是,由于V1、V2的振蕩頻率遠遠高于電容C2的充電時間常數,所以在電路此后的工作中電容C2上的電壓被二極管1N4007瀉放,即DB3將不再參加其中的工作.
C) 兩個電路比較:對于圖2電路,由于DB3在使用時是不分極性的,所以對于對稱性的概念其實就是一個整批一致性的概念.VBO的大小和對稱性將影響著可控硅的導通角,影響著整批電路的一致性.對于圖3電路來說,需要的僅僅是一個有效的觸發脈沖,而DB3的VBO大小對電路的工作并無直接影響.
二、 IBO和IB—分別為和VBO和VBO/2下的漏電流:在以上兩個電路中IBO和IB都影響著電容C上的充電速度以及能否成功觸發DB3.若兩項漏電流都較大,則電容在充電的同時電能也被漸進地瀉放,造成的結果是充電時間加長了數倍或根本不能超越VBO.所以對IBO和的IB的要求應該是越小越好.
三、 ΔV—電壓回差:在DB3以恒定電流IF導通后的壓降VF和VBO的差值,即VBO- VF.由于在以上兩個電路中均有電容對回路中的電阻進行放電,而放電電流的大小和脈沖的波形則為成功出發后面電路的關鍵所在.由于各公司DB3的生產工藝不同,所以其在電路中的觸發波形也相差很大.我們用美國Tektronix公司的TDS3012B型示波器捕捉了圖3中V2發射極的電壓,便可以清楚地看到不同的DB3觸發電流波形圖.
圖4為選用我公司JF DB3,其中ΔV1=7V(IF1=0.5mA)的觸發電流波形.
圖5為選用我公司JF DB3,其中ΔV1=2V(IF1=0.5mA)的觸發電流波形.
圖6、圖7為選用其他公司×× DB3,其中ΔV1=6V(IF1=0.5mA)的觸發電流波形.
     由四個圖比較可以看出JF DB3的波形比較大,而且上升時間很短約100ns,而其他產品則波形平坦,上升時間約200 ns.兩種波形比較的話,平坦的、上升時間長的不易觸發,反之則易欲觸發.再拿我公司的兩種來比較,由圖可以看出:其中ΔV1的差異并不能明顯改變波形的形狀和大小.主要是我公司的JF DB3經過工藝改進后將上升時間T大幅度縮小,從而削弱了ΔV1對觸發波形的影響.若上升時間T過大,則波形的高度不能保證,不易觸發,只有通過增加ΔV1和ΔV2來保證.我們在工藝上減小了T提高了ΔV2,使得觸發更加容易,實踐證明采用新工藝后ΔV2>2V便可以成功觸發節能燈電路.
四、 國際通用的DB3參數標準:
項目 參數值 測試條件
VBO 32±4V
│+VBO│-│-VBO│ 3V
IBO 100μA
IB 10μA VBO/2
│±ΔV│ >5V
Tr <1.5μS
以上為我公司技術人員的分析結論,由于水平有限,錯誤在所難免,請批評指正.

說的好.可是產品批次的一致性不好的話,不是也麻煩,呵呵

您能告訴我您的聯系電話嗎?我也遇到你說的問題,想請教怎么解決,謝謝!!!