他們有很多互補的地方:
雙極性晶體管在放大或者飽和狀態下必然存在基極電流,所以輸入電阻比較小;而且晶體管的導電機理主要是依靠基區非平衡少數載流子的擴散運動,容易受溫度,射線等外界因素的影響;
而場效應管輸入電流幾乎為零,輸入電阻極大,而且依靠多數載流子的飄移動形成電流,種類多,應用靈活,選擇余地大,而且工藝簡單,集成度高.
低壓大電流、高頻率是MOSFET的優勢;
高壓是IGBT,BIPOLAR TRANSISTOR的優勢;

謝謝