在電路設計中高壓輸入母線通過電容C1和C7進行濾波。線路檢測（L引腳）通過電阻R1、R2和R3監測輸入母線電壓。當L引腳電壓超過UV+閾值時，HiperLCS2-HB芯片U1將啟動軟啟動。電容C32為L引腳提供局部去耦，二極管D5將L引腳電壓鉗位在5V——這些器件在高功率設計中能增強L引腳電路的抗噪性，建議盡量靠近L引腳布局。

輸出過壓檢測通過變壓器T1的初級偏置繞組（引腳8和9）實現，經由穩壓管VR2和電阻R11采樣，再通過電阻R5和晶體管Q1耦合至PP引腳。當輸出過壓時，VR2導通，電流將通過Q1從PP引腳對地泄放。電阻R5用于設定PP引腳的初級頻率范圍及故障響應。

電容C2和C8分別對5VL與BPL引腳進行去耦，其參考地分別為GP和GD。功率地回路RTN連接至S引腳（SOURCE）、初級偏置繞組及偏置電容。需特別注意將小信號地（GP）與系統功率地（RTN）隔離——RTN功率地為系統噪聲提供低阻抗路徑，使次級耦合的噪聲電流可安全導入RTN/大容量電容地，而不干擾小信號地（GP引腳）。

二極管D3對初級偏置繞組電壓整流，電容C12為RTN地提供去耦。電容C8為BPL引腳提供高頻局部去耦。啟動階段（開關動作前），BPL引腳通過電阻R8向電容C8和C9充電，該電阻用于限制BPL引腳輸出電流。電容C9儲存能量以維持啟動過程（直至初級偏置繞組通過開關動作獲能），同時通過二極管D1和電阻R7為HiperLCS2-HB的高端偏置提供啟動能量。建議C9容量至少為高端偏置電容C5和C6總容量的5倍。

在偏置繞組激活前的啟動階段，二極管D2作為阻斷二極管，防止BPL引腳的充電電流分流至電容C12。正常工作時，偏置電流從偏置繞組流向電容C12。BPL引腳內置分流穩壓器以限制電壓，電阻R34在BPL鉗位激活時限制分流電流，從而控制BPL功耗。需特別注意穩態偏置繞組電壓：若超過BPL鉗位閾值，將導致BPL電路額外功耗并可能引發HiperLCS-2芯片熱關斷。需注意偏置繞組電壓在空載至滿載時可能存在25%波動，建議設計時確保空載狀態下偏置電壓至少維持15V。當BPL引腳電壓超過21V時，分流穩壓器將啟動。

在低端功率MOSFET導通期間，高端自舉電路通過二極管D1和電阻R7對電容C5和C6充電。啟動初期前幾個開關周期，C5和C6通常無電荷，此時需依靠R7限流。電阻R6和電容C3為BPH引腳提供額外低頻濾波，高端5VH引腳通過電容C4去耦。需注意所有高端去耦均連接至HB引腳。

諧振槽電感由變壓器集成諧振電感LR與勵磁電感LM串聯構成，呈現于HB引腳與C10之間。Y電容C13對初級和次級地間進行去耦，以降低初級側開關噪聲對次級控制器的共模干擾。