Power Integrations公司的InnoSwitch3-AQ適合汽車應(yīng)用的集成750 V、900 V及1700 V開(kāi)關(guān)和FluxLink反饋技術(shù)的恒壓/恒流準(zhǔn)諧振反激式開(kāi)關(guān)IC，在設(shè)計(jì)中無(wú)需使用散熱片，可在190VDC至450VDC的輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)超過(guò)94%的效率，為保證設(shè)計(jì)中在電磁干擾抗擾度、環(huán)境溫度性能、空間優(yōu)化元件布局和電源壽命和可靠性方面更好的提升，特通過(guò)PCB元器件擺放和布局規(guī)則進(jìn)行一下說(shuō)明：

1、電氣間隙和爬電距離

根據(jù)IEC 60664-1/4計(jì)算爬電距離和電氣間隙要求，（1) 初級(jí)到初級(jí)的功能/基本絕緣；（2) 次級(jí)到初級(jí)的加強(qiáng)絕緣；（3) 應(yīng)對(duì)節(jié)點(diǎn)之間具有高壓的所有節(jié)點(diǎn)進(jìn)行爬電和間隙計(jì)算；（4) 確保根據(jù)目標(biāo)應(yīng)用環(huán)境考慮到污染程度、海拔高度和濕度；

2、控制元件:應(yīng)盡可能靠近InnoSwitch3-AQ IC放置。應(yīng)按照以下放置優(yōu)先級(jí)進(jìn)行放置：涉及（1) CBPP、CBPS、CFWD、CFB和CIS ；（2)RBIAS（在CBPP旁）、RFWD（在CFWD旁）；（3) RFB_LOWER（在CFB旁）和RIS（在CIS旁）；（4) RFB_UPPER、RFF和CFF 5) 初級(jí)和次級(jí)OV元件；

3、控制元件布線控制元件之間的布線盡量簡(jiǎn)短，盡可能避免使用過(guò)孔；

4、輸入CMC使CMC的輸入和輸出節(jié)點(diǎn)盡可能遠(yuǎn)離，以防止噪聲通過(guò)輸電線耦合；

5、輸入電容將輸入電容靠近變壓器和InnoSwitch3-AQ IC放置，以盡量減少初級(jí)環(huán)路面積；

6、緩沖器網(wǎng)絡(luò)將緩沖器元件靠近放置，以盡量減少初級(jí)緩沖器環(huán)路 面積；

7、偏置電壓元件將偏置元件（CBIASx、DBIAS）靠近變壓器偏置繞組引腳放置，盡量減少偏置環(huán)路面積；

8、 SR FET和輸出電容靠近次級(jí)變壓器引腳放置，盡量減少次級(jí)環(huán)路面積；

9、SR FET RC緩沖器放置在SR FET旁，最好位于同一層；

10、RSENSE和DIS放置RSENSE，讓其到RIS和CIS引腳的通路最短、最直接。DIS、CIS 和RIS盡可能靠近IS引腳；

11、高dv/dt節(jié)點(diǎn)對(duì)于以下高dv/dt節(jié)點(diǎn)，盡量減少鋪銅面積和走線長(zhǎng)度：a) InnoSwitch3-AQ漏極。b) 從SR FET到RFWD的走線（使用低走線寬度）；

12、高di/dt環(huán)路除了緊湊擺放元件之外，高di/dt回路的布線應(yīng)減少回路所包圍的面積；

13、過(guò)孔通過(guò)過(guò)孔連接的信號(hào)，且需要在與信號(hào)原始GND平面不相鄰的層上繼續(xù)傳輸?shù)男盘?hào)，必須附有單獨(dú)的GND過(guò)孔。該過(guò)孔允許返回電流輕松傳輸?shù)讲煌腉ND平面或返回通路走線；

14、相互交叉的信號(hào)如果不可避免，則位于不同層且相互交叉的信號(hào)必須始終在其層之間有一個(gè)GND層。理想情況下，每個(gè)信號(hào)層都必須在相鄰層上有自己的GND層。

以上規(guī)則在設(shè)計(jì)電源布局時(shí)必須考慮，以免在電源設(shè)計(jì)中出現(xiàn)性能偏差。