氮化鎵是目前能同時實現高頻、高效、大功率代表性材料，第一二代半導體材料工藝已經逐漸接近物理極限，在微電子領域的摩爾定律開始逐步失效，而第三代半導體是可以超越摩爾定律的。第三代半導體材料包括了碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶化合物半導體，GaN作為其代表之一，在高溫、高耐壓以及承受大電流、擊穿電壓等多個方面具備明顯的優勢，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
目前GaN市場應用比較廣泛，光伏、風電(電能生產)，直流特高壓輸電(電能傳輸)，新能源汽車、工業電源、機車牽引、消費電源(電能使用)等領域都有GaN的產品，在新能源汽車領域主要是車載充電器OBC、DC-DC/DC-AC、BMS電池管理系統等。目前新能源建設、新能源汽車都是比較火爆，新能源汽車數量的不斷增長、滲透率的提升，GaN潛在市場空間巨大。
PI的GaN產品還是比較有競爭力的，深耕多年，有很多技術積累，做了很多優化，比如無需負壓驅動，外圍電路極大簡化，方便用戶使用。未來PI的GaN的產品會越來越多，成本降低，會逐漸推動電源行業的快速革新。
