背景：

在光伏逆變器、PCS、工業電源、UPS等三相的中大功率開關電源中輔助電源通常是自己設計，使用分立器件搭建的，由于母線通常采用雙母線，并且可能存在高壓電池供電的情況，因此輔助電源的供電通常高達600~1000V，那么如果反激輔助電源的主管用Si器件MOS通常只能設計為雙管，因為Si器件的高壓MOS成本高，使用IGBT又受限于開關頻率低。而隨著SiC MOS的成本降低，以及各個廠家推出了高壓SiC MOS，比如1700V、Rds(on)低于1Ω并且不需要負壓驅動的高壓器件，并且可以提高開關頻率，使用單管設計反激電路原邊主管即可，從整體成本上來說會越來越接近于傳統的雙管反激。本設計的構想就是基于1700V的SiC MOS設計適用于高壓供電工況下的單管輔助電源的驗證。

相比較雙管反激，單管反激從設計上就天然的降低了很多的難度：

1.主管用單個SiCMOS，可提供=高開關頻率到100kHz以上，降低變壓器體積，SiCMOS開關損耗低；

2.只需要設計一個電流采樣電路即可；

3.反激變壓器原邊只有一個繞組；

4.反激變換器原邊電壓高，電流小，可選擇較細的銅線；

5.只需要原邊一個管子的散熱器，降低整體PCB器件占用面積。

當然單管反激也不是完美的，還存在以下需要注意事項：

選擇控制IC的VO不能太低，可能會導致SiC MOS無法完全開通而燒管子；1700V的SiC MOS應力肯定會比較高的，需要設計RCD吸收以及管子上并聯吸收電路，比如DS上 加RC；目前來看生產1700V的SiC MOS的廠商有限，選擇器件上會有點受限；頻率提高后，可能存在EMI的風險，需要進一步實際驗證了進行調整和屏蔽。

構想的主要參數：

1.滿載功率100W；

2.輸入電壓Vin范圍：300Vdc~900Vdc，原邊和幅邊加強絕緣；

3.輸出電壓主路是+24V，另外幾路-12V，+12V，Vcc，Vcan；

4.磁芯暫時選EER35；

5.DEMO板體積預計設計為10*15cm；

6.控制IC準備用UC284X系列，那就需要在Vout腳加一個推挽放大電流的電路；

7.暫時不加上EMI電路，只設計DC-DC電路本身。