電導調制效應又稱基區寬度調制效應,屬于半導體物理的范疇了.就是指基區的有效寬度隨集電結的反偏電壓的變化而變化的效應.當集電結反向電壓增大時,集電結的空間電荷區加寬,這就引起基區有效寬度變窄.因而載流子在基區復合的機會減小,所以基極電流Ib隨集電極反偏電壓增大而減小,也就是基區有效電導增大,因此又叫電導調制效應

GTR深飽和的時候,集電極正偏,就會有額外的電子從集電極注入到基區,為了保持基區的電中性,基區就要積累更多的空穴,也就四是說基區的多子增加,從而改變基區的電導,飽和程度越深,電導調制效應越嚴重

GTR因為有電導調制效應,因而有較低的導通電阻,具有較小的通態壓降.

“基極電流Ib隨集電極反偏電壓增大而減小,也就是基區有效電導增大”?是不是應該有效電導減小?

對了,謝謝提醒,應該是減小,現在長時間沒涉及到電導,下意識的當成電阻在處理了

“似的其電阻率明顯下降”是打錯字了，“使其電阻率明顯下降”