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反激300W 上電MOS管Vds直接沖到771V

大佬們,如何降低上電時的Vds

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jianyedin
LV.9
2
2024-07-22 17:06

緩啟動

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2024-07-22 17:09

要看你設計的是多少,另外就是漏感多大,等等一些參數

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edie87
LV.3
4
2024-07-22 17:21

300W還用反激?

771V要看你的圈比,這個771V是尖峰還是平臺?平臺電壓又是多少?

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2024-07-23 08:37

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2024-07-23 09:16
@jianyedin
緩啟動

有沒有電路參考

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2024-07-23 10:10
@edie87
300W還用反激?771V要看你的圈比,這個771V是尖峰還是平臺?平臺電壓又是多少?

上電瞬間的尖峰最大電壓,220V的輸入,下面有圖平臺是整流后的310V

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2024-07-23 14:35
@dy-2NncP4e7
上電瞬間的尖峰最大電壓,220V的輸入,下面有圖平臺是整流后的310V

峰值太高了 要壓 另外就是要看看漏感

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ffqqcc
LV.2
9
2024-07-23 16:29

估計是上電瞬間,啟動電流直接到達了保護電流,漏電感很大,才導致尖峰很高,芯片有緩慢啟動功能的話,應該不會這樣

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2024-07-23 17:15

。。。。。。 上原理圖和變壓器吧。 反激目前最大功率做過240W。 漏感和尖峰是最難處理的。因為功率太大了

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dy-2NncP4e7
LV.1
11
2024-07-24 08:59
@朝陽之星
峰值太高了要壓 另外就是要看看漏感

漏感最大是25uH

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dy-RUUwma3E
LV.1
12
2024-07-25 11:32
@dy-2NncP4e7
漏感最大是25uH

漏感太大芯片有沒有軟啟動

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2024-08-07 08:56
@dy-2NncP4e7
漏感最大是25uH

你是普通三明治繞的變壓器嘛?

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QKYZP
LV.3
14
2024-08-13 11:53

1、看你的變壓器設計是否合理,漏感是否過大

2、有沒有加吸收

3、是否有軟啟

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lhy081629
LV.3
15
2024-08-15 19:28
@dy-2NncP4e7
[圖片]

占空比太大了,啟動電壓可以設置高一點。

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2024-08-22 15:39

1.降低變壓器漏感,這個是最重要的。

2.降低VOR 電壓, 選擇合適的匝比,不過從圖上看, 平臺電壓也不高。所以這條改善不大。

3.增加輸出緩啟動, 但是不管多慢的緩啟動, 啟動Vds肯定大于正常工作的Vds 電壓。

4. 加重原邊MOSFET 吸收電路,但是會犧牲效率。

5. 增大原邊MOSFET 驅動電阻, 但是也會犧牲效率。

6. 增大環路響應速度, 另外也要確人正常工作環路穩定性。 

7.另外300W 的反激,原邊MOSFET 內的峰值電流太大了, 漏感中儲存的能量太高, 如果可以, 最好換個拓撲結構。 一般150W 以下選擇反激會合適點。

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2024-08-26 21:00

次級加多一匝

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luck_gfb
LV.7
18
2024-09-10 16:12

有沒有增加軟啟動功能?最好上份原理圖看看

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2024-09-20 03:56

這個數據很有意義,驗證了反激電壓的威力。

小功率的反激,可以用緩沖電容吸收掉,超過200W的功率,吸收電路就很難處理了

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2024-09-21 10:55

軟啟、漏感,吸收,再不行加大裕量。具體的看波形分析,電源沒有波形,不能只管分析問題吧

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2024-09-21 10:56
@別開腔,自己人
。。。。。。上原理圖和變壓器吧。反激目前最大功率做過240W。漏感和尖峰是最難處理的。因為功率太大了

已做到1500V,400W

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