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升壓IC的帶載能力

輸入2V,輸出5V1A,很多IC稱可以達(dá)到.
但是我試了,輸出還沒到600mA的時(shí)候電壓就降下來(lái)了.
有外加N-MOS擴(kuò)流.

還有國(guó)內(nèi)一些內(nèi)置開關(guān)管的IC從2V升到5V的時(shí)候最大電流為什么才300多mA?
像這種例子的帶載能力問題 是和本身的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有關(guān),還是和IC有關(guān),還是其他因數(shù)?
THANKS!
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2008-11-10 09:40
等我做完試驗(yàn)再告訴你結(jié)果
我今天做2v TO 5V  1A  的試驗(yàn)
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周挺巧
LV.7
3
2008-11-10 09:51
輸出與外圍電路有關(guān)跟IC關(guān)系不大
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2008-11-11 10:28
@yuanxiang_ic
等我做完試驗(yàn)再告訴你結(jié)果我今天做2vTO5V  1A  的試驗(yàn)
還有請(qǐng)教一下,為什么這種電路帶負(fù)載開機(jī)的時(shí)候MOSFET會(huì)短路然后燒掉?
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2008-11-11 10:45
@whereismycat
還有請(qǐng)教一下,為什么這種電路帶負(fù)載開機(jī)的時(shí)候MOSFET會(huì)短路然后燒掉?
因?yàn)樯龎弘娐份敵鍪侵蓖ǖ?一短路,整個(gè)電路便直通了,所以就燒MOS了啊
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2008-11-11 12:19
@yuanxiang_ic
因?yàn)樯龎弘娐份敵鍪侵蓖ǖ?一短路,整個(gè)電路便直通了,所以就燒MOS了啊
短路的時(shí)候電路是直通的,但MOSFET并沒有燒掉,因?yàn)镸OSFET不在直通的回路中.
而負(fù)載開機(jī)的時(shí)候MOSFET卻會(huì)掛掉
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2008-11-11 15:31
@whereismycat
短路的時(shí)候電路是直通的,但MOSFET并沒有燒掉,因?yàn)镸OSFET不在直通的回路中.而負(fù)載開機(jī)的時(shí)候MOSFET卻會(huì)掛掉
外置MOS的,帶很小的負(fù)載都不能開機(jī).
現(xiàn)象是:輸出電壓上不去.輸入電流很大.
內(nèi)置MOS的帶載開機(jī)卻沒有問題.
曾經(jīng)找過原廠的FAE,沒有得到解決.
哪位大俠可以幫忙解答,謝謝!
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2008-11-13 12:36
要1A的負(fù)載,一般IC是做不到的,國(guó)產(chǎn)最大也就300-400了,國(guó)外的建議用LINER的試一下,常用的有加MOS管擴(kuò)流的和加LTC4410增大帶負(fù)載能力的,另外在調(diào)試時(shí)的原則是電感的內(nèi)阻很重要,越小越好,感量有4.7UH就能起振,不要追求大,輸出濾波電容一定要大,容量越大越好
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