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關于IC驅動型加隔離變壓器的波形改善

用3101做的一個電子鎮(zhèn)流器.現(xiàn)用EE13/12的電感做驅動變壓器,二個次級形式.
初級用1UF電容耦合,次極直接通過電阻47R接840 的G極,G對地有一個47K的電阻
在47R的電阻上有反并4148, 驅動的比例為120:60:60 但感覺驅動波形很差,損耗有點大,望高手指點一下,
圖片如下:
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laochu
LV.4
2
2008-10-22 08:40
我感覺你這個波形蠻不錯的嘛....
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浙人
LV.4
3
2008-10-22 09:43
從磁性材料及線徑上看看.
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ne5532
LV.7
4
2008-10-22 13:42
@浙人
從磁性材料及線徑上看看.
現(xiàn)在材質用JPP-4的,線徑0.2 如果再用大一點的銅線的話,會繞不下,
現(xiàn)初級的電感量達到13MH,再加大圈數(shù)有沒有好的效果?
另外一個問題,峰值電壓超過MOS的輸入電壓,是否要降一點會好一些?
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seandl
LV.2
5
2008-10-26 11:17
可以適當?shù)母?40的柵極電阻!
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ne5532
LV.7
6
2008-10-26 22:14
@seandl
可以適當?shù)母?40的柵極電阻!
那先試試..
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浙人
LV.4
7
2008-10-31 14:35
@ne5532
現(xiàn)在材質用JPP-4的,線徑0.2如果再用大一點的銅線的話,會繞不下,現(xiàn)初級的電感量達到13MH,再加大圈數(shù)有沒有好的效果?另外一個問題,峰值電壓超過MOS的輸入電壓,是否要降一點會好一些?
材料用PC40,三個繞組均5.66MH,線徑:0.25,GR用56R,G與S加563電阻.這樣試下看效果會好些.
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ne5532
LV.7
8
2008-11-03 19:07
@浙人
材料用PC40,三個繞組均5.66MH,線徑:0.25,GR用56R,G與S加563電阻.這樣試下看效果會好些.
我有試過60:60:60,但實際上測試出來的參數(shù)還沒有120:60:60的好,波形更差,損耗比較大.
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