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諧振電路為什么要設計在ZVS狀態(tài)

ZVS與ZCS相比有什么優(yōu)缺點?為什么LLC電路都設計在ZVS下,避免ZCS?
墾請大家指點
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nestling
LV.4
2
2008-09-18 21:48
還有人問這種問題!這個與開關器件有關,目前開關電源里面使用最多的開關器件是MOSFET,這個器件的主要開關損耗來自開通時的容性損耗,所以ZVS是合理的.而且對于MOS橋式電路,由于MOS固有的體二極管的反向恢復,如果工作在ZCS會橋臂直通;如果你用IGBT,那就反過來了,因為IGBT的主要問題是關斷拖尾.
電力電子的核心是器件,沒有弄懂器件的基本原理的人是不能理解電源的.
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Fan_Shou
LV.4
3
2008-09-18 22:08
同問
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2008-09-18 22:46
@nestling
還有人問這種問題!這個與開關器件有關,目前開關電源里面使用最多的開關器件是MOSFET,這個器件的主要開關損耗來自開通時的容性損耗,所以ZVS是合理的.而且對于MOS橋式電路,由于MOS固有的體二極管的反向恢復,如果工作在ZCS會橋臂直通;如果你用IGBT,那就反過來了,因為IGBT的主要問題是關斷拖尾.電力電子的核心是器件,沒有弄懂器件的基本原理的人是不能理解電源的.
好嚴厲啊...
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laidbee
LV.2
5
2008-09-21 09:18
@nestling
還有人問這種問題!這個與開關器件有關,目前開關電源里面使用最多的開關器件是MOSFET,這個器件的主要開關損耗來自開通時的容性損耗,所以ZVS是合理的.而且對于MOS橋式電路,由于MOS固有的體二極管的反向恢復,如果工作在ZCS會橋臂直通;如果你用IGBT,那就反過來了,因為IGBT的主要問題是關斷拖尾.電力電子的核心是器件,沒有弄懂器件的基本原理的人是不能理解電源的.
厲害! 看了您回貼,我特意對比了幾個MOSFET和IGBT的規(guī)格書.發(fā)現(xiàn)MOSFET的輸出電容Coss確實比IGBT要大許多,因此硬開關時,MOSFET開通損耗應該比較大,而關斷時由于對Coss充電比較慢,損耗會小很多.但是IGBT規(guī)格書上標明的開通損耗確反比關斷損耗要大,比如infineon的SKW15N120和IKW40N120T2.
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請高手解惑,謝謝!
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