主控芯片集成了高壓開關、同步整流和FluxLink反饋功能，適合恒壓/恒流離線反激式電源開發、

適合對能耗、外形尺寸或熱約束提出嚴苛要求的電源，特別是那些必須符合強制性總能耗標準的電源。

芯片的封裝11.5 mm爬電距離和電氣間隙，使得可靠性更高，抗浪涌及ESD能力更強。

PI的FluxLINK通信技術無需使用任何磁芯材料即可在安規隔離帶之間進行反饋控制.

這個系列芯片集成了同步整流功能，電源的開發效率高，功耗很低。

芯片具有隔離式數字通信技術FluxLink，還具有同步整流、準諧振開關以及精確的次級側反饋檢測和控制電路。

芯片的封裝保證了足夠的爬電距離及電氣間隙，保證大電流的輸出可靠。

該專利技術可提供非常大的通信帶寬，實現極快的負載瞬態響應。

創新性的FluxLink技術，省掉了光耦元件，電源的開發質量提升不少。

簡化反激式電源變換器的設計，使用貼片封裝沒有散熱器體積更小了。

這個技術是PI的專利技術，可以有效實現原次級的通信，同時滿足高壓隔離，且內部集成。

貼片封裝的產品的確體積小，但導致同型號下支撐的輸出功率會小點。

芯片的封裝就能保證爬電距離的技術參數要求，這點不用去考慮的。

PI的集成高隔離電壓的功能模塊。同時又實現通信，封裝再內部。

大功率的快充電源設計選擇器件都比較好，質量要穩定，并且發熱散熱處理好。

集成度更高，更加緊促，效率更好反而無需擔心熱處理；使得設計更加簡化，功耗也很大幅度提升；

內部功率限制功能會作為輸出過載的函數將輸出電壓調整到設定的穩壓閾值以下

INN3279芯片將一次側、二次側和其他電路集成在單一表面芯片封裝中。GaN切換開關取代了 IC 一次側的傳統硅高壓電晶體，這樣做減少了傳統設計的開關損耗，待機功耗小，效率高

IC 一次側的傳統硅高壓電晶體，減少了電流流過時的導通損耗，減少能源浪費！

GaN切換開關取代了傳統硅高壓電晶體，減少了電流流過時的導通損耗

非常不錯的設計，為什么需要外接這么大的電容

集成度越高是不是意味著散熱越不容易

趨勢是這樣的，但是技術追求的就是不斷的集成。

用innoswitch可以大幅減小電路板面積 還能有很高的利用率

金屬氧化物壓敏電阻在不同輸入電壓瞬態期間進行箝位，以便為輸入元件提供保護

USB的接口也能做到20V3A這么60W的輸出嗎？得改成TYPE-C方案才可以吧

如此緊湊的設計，怎么樣有效降低信號間的干擾

氮化鎵有很大的優點，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。

在氮化鎵晶體管中，COSS的增加與RDS(ON)的減少之比要低一個數量級。

InnoSwitch的IC采用了名為FluxLink的磁感耦合技術，可在省去不可靠的光耦器的前提下同時對初級和次級MOSFET進行開關控制。