常見(jiàn)的IENNA整流拓?fù)?主要有Vienna_I 型拓?fù)浜蚔ienna_II 型拓?fù)?/span>
兩種拓?fù)涠寄軐?shí)現(xiàn)AC轉(zhuǎn)DC的整流，從元器件上看Vienna_I 型用了18個(gè)二極管跟3個(gè)MOS管，Vienna_II 型用了六個(gè)二極管跟6個(gè)MOS管，硬件成本上Vienna_II可能會(huì)有優(yōu)勢(shì)；同時(shí)分立元器件比較少，故障的概率相對(duì)比較??；控制上兩種拓?fù)涞目刂品绞缴鲜且荒Ｒ粯拥模瑳](méi)有任何差異；
控制上，兩種拓?fù)錄](méi)有任何差異，下面主要以Vienna_II 型作為仿真分析對(duì)象：
常用的主要有簡(jiǎn)單的電流滯環(huán)控制以及 DQ正交控制兩種控制方式；（還有其他控制方式，這里不做分析）
電流滯環(huán)控制：為了使控制最簡(jiǎn)單明了，這里沒(méi)有加入輸出正負(fù)半BUS平衡控制策略（有興趣深究的可以在進(jìn)一步增加）；從環(huán)路控制上看，直接控制的是輸出電壓，輸出電壓進(jìn)行PI控制后，乘以該相電壓的歸一化系數(shù)，然后在與該相電流做差，得到的結(jié)果送到驅(qū)動(dòng)計(jì)算，即可得到最簡(jiǎn)單的電流滯環(huán)控制；
仿真波形如下：
電流滯環(huán)控制在充電樁電源模塊上應(yīng)用廣泛，主要也是由于電源模塊的特殊應(yīng)用，前級(jí)Vienna只是作為整流用，并不需要其他復(fù)雜功能；電流滯環(huán)控制并不需要對(duì)市電進(jìn)行鎖相，只需對(duì)輸入電流和市電電壓采樣和BUS母線(xiàn)電壓采樣，就可進(jìn)行PI控制，計(jì)算控制量非常的少，算法簡(jiǎn)單，所以普遍應(yīng)用；當(dāng)然也有其控制缺點(diǎn)，從控制的角度看，電流并沒(méi)有構(gòu)成嚴(yán)格閉環(huán)控制，在突加載過(guò)程，有可能導(dǎo)致電流失控導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管失效，不過(guò)像電源模塊后級(jí)還有一級(jí)DC/DC變換，并不會(huì)對(duì)前級(jí)整流造成直接的沖擊；
DQ正交控制：相對(duì)于電流滯環(huán)控制要復(fù)雜得多，從控制架構(gòu)可以看出來(lái)，需要對(duì)市電電壓和輸入電流進(jìn)行DQ變換，然后進(jìn)行鎖相，數(shù)學(xué)運(yùn)算相對(duì)比較復(fù)雜，對(duì)控制芯片要求高，同時(shí)控制架構(gòu)采用外環(huán)電壓環(huán)內(nèi)環(huán)電流環(huán)的雙閉環(huán)架構(gòu)，控制響應(yīng)相對(duì)比較快；同時(shí)可以對(duì)輸入電流相位進(jìn)行控制，實(shí)現(xiàn)無(wú)功調(diào)節(jié)；
仿真波形如下：
這種結(jié)構(gòu)有專(zhuān)利；好處是可以使用600V Si MOSFET，原邊串聯(lián)副邊并聯(lián)，控制上可以做的interleaving，副邊剛好可以減小紋波，原邊這種串聯(lián)結(jié)構(gòu)有益于均流；但需要做電壓差控制以平衡二次側(cè)均流；
還有結(jié)構(gòu)可使用“I”字結(jié)構(gòu)直接從Vienna輸出兩端取電，有點(diǎn)類(lèi)似三電平結(jié)構(gòu)也可以使用600V的管子；
再有直接SiC，1200V簡(jiǎn)單直接
