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SP6649HF主要應用于充電器 PDA、數碼相機、攝像機電源適配器機頂盒電源開放框架式開關電源個人電腦輔助電源

SP6649HF規格書概述：

SP6649HF是一顆電流模式 PWM 控制芯片，內置 650V 高壓功率 MOSFET，應用于功率在 30W 以內的方案。SP6649HF 在 PWM 模式下工作于固定開關頻率，這個頻率是由內部精確設定。在空載或者輕載時，工作頻率由 IC 內部調整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。SP6649HF在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來進一步減小待機時的功耗。芯片內置有斜坡補償電路，當電路工作于大占空比時，避免次諧波振蕩的發生，改善系統的穩定性。內置有前沿消隱時（Leading-edge blanking time），消除緩沖網絡中的二極管反向恢復電流對電路的影響。SP6649HF 采用了抖頻技術，能夠有效改善系統的 EMI 性能。系統的跳頻頻率設置在音頻(22KHz)以上，在工作時可以避免系統產生噪音。SP6649HF 內置多種保護，包括逐周期限流保護（OCP），過載保護（OLP），過壓保護（VDD OVP），VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO），過溫保護（OTP）等，通過內部的圖騰柱驅動結構可以更好的改善系統的 EMI 特性和開關的軟啟動控制。

二、特點：

全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時待機功耗小于 75mW內置 650V 高壓功率管4ms 軟啟動用來減少 MOSFET 上 Vds 的應力抖頻功能，改善 EMI 性能跳頻模式，改善輕載效率，減小待機功耗無噪聲工作固定 65KHz 開關頻率內置同步斜坡補償低啟動電流，低工作電流內置前沿消隱(LEB)功能過載保護（OLP），逐周期限流保護（OCP）   VDD 過壓保護（VDD OVP），欠壓保護（UVLO），VDD 電壓箝位過溫保護（OTP） SOP8 無鉛封裝