SiC (碳化硅) 功率器件
與傳統的硅器件相比，碳化硅(SIC)器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC讓設計人員能夠減少元件的使用，從而進一步降低了設計的復雜程度。
在SiC功率元器件和模塊的開發領域處于先進地位，這些器件和模塊在許多行業的應用中都實現了更佳的節能效果。
SiC技術應用：
太陽能和風能的DC/AC轉換器中的高效逆變器電動和混合動力汽車的功率轉換器工業設備和空調設備的功率逆變器X射線發生器的高壓開關薄膜涂層工藝。
SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度。其優點主要可以概括為以下幾點：
1) 高溫工作
SiC在物理特性上擁有高度穩定的晶體結構，其能帶寬度可達2.2eV至3.3eV，幾乎是Si材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，SiC器件所能達到的最大工作溫度可到600 oC。
2) 高阻斷電壓
與Si材料相比，SiC的擊穿場強是Si的十倍多，因此SiC器件的阻斷電壓比Si器件高很多。
3) 低損耗
一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且SiC器件導通損耗對溫度的依存度很小，SiC器件的導通損耗 隨溫度的變化很小，這與傳統的Si器件也有很大差別。
4) 開關速度快
SiC的熱導系數幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si的2倍，所以SiC器件能在更高的頻率下工作。
綜合以上優點，在相同的功率等級下，設備中功率器件的數量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小，同時效率也有大幅度的提升。
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。1200V功率等級下，各類功率器件的特性比較結果，需要指出的是，這些功率器件都為TO-247封裝，但它已是所能找到的相似功率等級下，特性較好的Si MOSFET。
將SiC MOSFET和SBD集成為全SiC功率模塊，比傳統的IGBT模塊大幅降低了開關損耗。ROHM SiC模塊使得100kHz以上的高頻操作成為可能。這提高了用于感應加熱和混合動力存儲系統的高頻電源等工業設備的效率。
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