正激變壓器工作時只起變比的作用還需專門的去磁電路,反激變壓器本身就是利用“去磁”工作的,所以正激、反激電路組合起來將會產生一種功率密度更大、成本更低的電路來。實際情況正反激組合電路應用的并不是很廣,列舉其中兩種進行分析:
圖1兩種正反激組合電路
正激變壓器工作時只起變比的作用還需專門的去磁電路,反激變壓器本身就是利用“去磁”工作的,所以正激、反激電路組合起來將會產生一種功率密度更大、成本更低的電路來。實際情況正反激組合電路應用的并不是很廣,列舉其中兩種進行分析:
圖1兩種正反激組合電路
正激、反激兩種電路組合到一起后二者的特性也會被保留了下來,CCM的正激決定了輸出電壓,輸出電壓及反激匝比決定了反射電壓,相對于普通反激這種組合式電路的反射電壓更高(圖3例子中為2倍關系),想要降反射電壓只能降低占空比見下圖:
圖4 占空比與匝比及反射電壓的關系
圖4中最大占空比設置為0.5時反射電壓=輸入電壓=300V,預設反射電壓為100V則最大占空比不能超過0.25(其中kfb表示正激的次級匝數與反激的次級匝數之比)。
反射電壓的設置可以參考下圖:
圖5 鉗位電壓、反射電壓之比與漏感損耗的關系
一般參考資料會建議鉗位電壓與反射電壓之比>1.3倍,如果取1.3則MOS管的Vds=Vin+(1+1.3)*Vor=300+230=530(適用600V的MOS管),但在正反激應用中取Vor=100V時最大占空比不能超過0.25,估計這個原因限制了這種正反激電路的應用。
問題放到后面再解決,先分析電感量的設計。勵磁電感和續流電感的大小將會影響正激和反激在電路所占的功率份額。
反激電路因工作于DCM模式所以只要知道占空比和開關周期就能列出感量與能量的關系,再由總功率減去反激功率得出正激電路所需處理的功率,最后由電流紋波率算出續流電感的大小,具體計算過程如下:
分別取反激功率比重20%,40%,50%繪制出電流波形如下:
圖6 不同比例的正、反激電流波形
可以結合圖1的(a)、(b)兩個電路使正、反激共用輸出繞組以提高線圈的利用率(正激、反激分時復用)。
圖7正、反激共用輸出繞組電路
圖7電路多用了一個續流二極管,如果占空比大于50%可以省掉這個二極管,是否還有其它結構能少用二極管的?
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文件有點亂、也沒整理,湊合著看。