這次搞一個DC/DC的電源。24V輸入24V10A輸出的電源。
磁性器件用平面變壓器,頻率暫定300KHz。拓撲采用正激。
正在搞電路圖,搞完上圖。
芯片選用ISL6843。這個芯片和384X幾乎一樣,就是開關頻率高些。38系列的開關頻率只能達到500KHz,68系列的開關頻率能達到2MH。
38系列框圖 68系列框圖
還是有些區別的,輸出圖騰,38系列用的三極管,68系列用的MOS管。PDF上的驅動能力是一樣的,都是1A。
框圖看不出來啥,姑且當它們一樣吧。
圖騰MOS管的驅動能力應該更強。
這是原理圖,以后會有改動,這是初始原理圖。
分部解析原理圖。
啟動電路 利用MOS管啟動,比電阻啟動損耗小(應該是)。
欠壓保護電路 當輸入電壓低于設定值時,比較器 LM393 的1腳輸出低電平。三極管Q6導通,拉低主芯片ISL6843的1腳,芯片停止輸出。
MOS管驅動電路 主芯片6腳位QD,驅動信號通過兩組NPN,PNP三極管來驅動MOS管。
芯片供電電路
芯片通過啟動電路啟動后,芯片的供電由正激電感上的繞組提供。這樣可以提高效率。
過壓保護電路。 當輸出過壓時,光耦工作,通過三極管拉低主芯片ISL3843的1腳,使芯片停止輸出。
反饋電路 TL431提供基準電壓,使用運放進行調整。
我計算續流二極管反向電壓大概70V,尖峰算100V,總電壓就是170V左右吧,這算是高但是沒有不要不要的吧。
續流二極管用的MBR20200,200V的管子應該足夠了吧。
PCB搞起,封裝畫完了,
是平面變壓器,沒有骨架的那種。我用的FEE22。
平面變壓器用的高頻材料,高頻的時候損耗小。
你說的也對,這樣可能效率高點。
但是高端MOS管的驅動是浮地的,控制起來比較復雜。
有什么辦法?小吸收可以,但是尖峰就大了。 基本無尖峰,這怎么做到,加大吸收?這樣效率就低了。
這個我真的做不到啊。
布局基本完成了。散熱有點不好搞啊。