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1000W逆變器空載尖峰的問題

各位大神們大家好,小弟最近接了一個(gè)項(xiàng)目是48V 2000W的UPS,現(xiàn)在進(jìn)行到逆變階段(之前沒怎么搞過大功率強(qiáng)電有些小白請(qǐng)見諒),初級(jí)芯片是EG1611開環(huán)的推挽芯片次級(jí)EG8010,設(shè)計(jì)都是參考的EGmicro那個(gè)官方的設(shè)計(jì),前級(jí)的原理圖這里奉上。根據(jù)原理圖,用了他們的那個(gè)變壓器(官方淘寶網(wǎng)店購買),參數(shù)是初級(jí)1+1次級(jí)36,MOS用的是BSC016N04LS,驅(qū)動(dòng)電路等用的也是一模一樣,驅(qū)動(dòng)板也是網(wǎng)店購買,這樣進(jìn)行測試,12V升壓正常逆變正常變壓器輸出波形跟MOS的DS波形都還算好。之后開始換自己設(shè)計(jì)變壓器進(jìn)行48V測試,變壓器參數(shù)是8T+8T次級(jí)64T。第一次找的廠家變壓器技術(shù)水平不夠初級(jí)漏感異常大且上下兩圈差距很大,初級(jí)MOS的DS尖峰很高,輸出能達(dá)到700V,調(diào)整頻率加各種吸收電路后也并沒有改善算是失敗(吸收電路也沒有詳細(xì)計(jì)算憑感覺選器件的)。之后重新找了一個(gè)變壓器廠家,變壓器參數(shù)修改為初級(jí)6T+6T次級(jí)48T,夾心繞法,初級(jí)0.2*30銅箔次級(jí)0.6*2的漆包線,經(jīng)過測試初級(jí)次級(jí)漏感如下幾幅圖所示。1

這是次級(jí)漏感測試的接法

2

這是次級(jí)漏感感量

3

這是初級(jí)測試第一個(gè)線圈的接法

4

初級(jí)第一個(gè)線圈的漏感感量

5

初級(jí)第二個(gè)線圈的接法

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第二個(gè)線圈的漏感感量

全部回復(fù)(12)
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duxuqi
LV.1
2
2019-09-12 13:26

由于之前拿第一次設(shè)計(jì)的變壓器測試的時(shí)候尖峰很大,那時(shí)候就往PCB上想過,所以PCB也重新畫過PCB如圖

這是后改的,只焊變壓器初級(jí)進(jìn)行控制用,次級(jí)拿線連接到另一塊PCB。根據(jù)論壇搜到的各種改進(jìn)方案改進(jìn)過,比如回路縮短,銅箔等面積等。同時(shí)驅(qū)動(dòng)MOS改為直插,型號(hào)是IRFB4115PBF,驅(qū)動(dòng)芯片用了UCC27324DR,其他的還是用EG1611產(chǎn)生推挽信號(hào)。原理圖也附上。

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duxuqi
LV.1
3
2019-09-12 13:33
@duxuqi
由于之前拿第一次設(shè)計(jì)的變壓器測試的時(shí)候尖峰很大,那時(shí)候就往PCB上想過,所以PCB也重新畫過PCB如圖[圖片]這是后改的,只焊變壓器初級(jí)進(jìn)行控制用,次級(jí)拿線連接到另一塊PCB。根據(jù)論壇搜到的各種改進(jìn)方案改進(jìn)過,比如回路縮短,銅箔等面積等。同時(shí)驅(qū)動(dòng)MOS改為直插,型號(hào)是IRFB4115PBF,驅(qū)動(dòng)芯片用了UCC27324DR,其他的還是用EG1611產(chǎn)生推挽信號(hào)。原理圖也附上。[圖片]

焊好后上了30V的電測試,在頻率最低的時(shí)候,輸出260V左右,初級(jí)的波形如圖所示。

這個(gè)是頻率調(diào)到最低的時(shí)候的初級(jí)兩邊的DS波形,此時(shí)頻率大概40K。

這是頻率往上提高后的初級(jí)DS波形。

測試時(shí)候發(fā)現(xiàn),輸入電壓不變,頻率越高波形的尖峰越高,輸出也母線電壓也越高,若需要可后續(xù)附上輸出波形。

輸出后接LC之后到整流橋,L用過22uH 跟8uH,C 用過473 683 104各種搭配試過,大概結(jié)果還是跟這個(gè)一樣,兩個(gè)波形的尖峰高度也不太一樣,藍(lán)色表筆搭的那個(gè)線圈基本一直能比黃色表筆的線圈高,有時(shí)候能調(diào)節(jié)的一樣高,也試過吸收電路但是效果也不太理想,請(qǐng)教各位大神這個(gè)問題會(huì)出在哪里,有沒有什么辦法能解決,謝謝了

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FQCAD
LV.5
4
2019-09-12 21:41
@duxuqi
焊好后上了30V的電測試,在頻率最低的時(shí)候,輸出260V左右,初級(jí)的波形如圖所示。[圖片]這個(gè)是頻率調(diào)到最低的時(shí)候的初級(jí)兩邊的DS波形,此時(shí)頻率大概40K。[圖片]這是頻率往上提高后的初級(jí)DS波形。測試時(shí)候發(fā)現(xiàn),輸入電壓不變,頻率越高波形的尖峰越高,輸出也母線電壓也越高,若需要可后續(xù)附上輸出波形。輸出后接LC之后到整流橋,L用過22uH跟8uH,C用過473683104各種搭配試過,大概結(jié)果還是跟這個(gè)一樣,兩個(gè)波形的尖峰高度也不太一樣,藍(lán)色表筆搭的那個(gè)線圈基本一直能比黃色表筆的線圈高,有時(shí)候能調(diào)節(jié)的一樣高,也試過吸收電路但是效果也不太理想,請(qǐng)教各位大神這個(gè)問題會(huì)出在哪里,有沒有什么辦法能解決,謝謝了
變壓器的初級(jí)感量與輸入電壓,頻率不匹配,過大或過小
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duxuqi
LV.1
5
2019-09-12 22:09
@FQCAD
變壓器的初級(jí)感量與輸入電壓,頻率不匹配,過大或過小
謝謝回復(fù)暖貼,變壓器初級(jí)匝數(shù)是根據(jù)網(wǎng)上找的公式算出來的,輸入48V頻率70K算出初級(jí)6.5我取了6匝,但是現(xiàn)在情況是頻率越高尖峰就越高不知道為什么了
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FQCAD
LV.5
6
2019-09-12 23:22
@duxuqi
謝謝回復(fù)暖貼,變壓器初級(jí)匝數(shù)是根據(jù)網(wǎng)上找的公式算出來的,輸入48V頻率70K算出初級(jí)6.5我取了6匝,但是現(xiàn)在情況是頻率越高尖峰就越高不知道為什么了
不要盲目地相信公式,實(shí)際的條件與公式會(huì)有差異。經(jīng)驗(yàn)值更可靠,頻率不適合,過低或過高都會(huì)振蕩,你發(fā)現(xiàn)頻率越高尖峰就越高,你就應(yīng)該嘗試調(diào)低頻率看是什么情況,如果發(fā)現(xiàn)在頻率低時(shí),波形好了,說明是感量過大,即匝數(shù)過大
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aa8239923
LV.1
7
2019-09-13 12:57
老哥我是小白,不懂,請(qǐng)問一下,r15,r21這兩個(gè)電阻的用意是什么,如果是下拉電阻…為什么不放到另一端呢?希望不吝賜教,謝謝!
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duxuqi
LV.1
8
2019-09-13 16:20
@aa8239923
老哥我是小白,不懂,請(qǐng)問一下,r15,r21這兩個(gè)電阻的用意是什么,如果是下拉電阻…為什么不放到另一端呢?希望不吝賜教,謝謝!
看了一篇文章這么寫的。因?yàn)镸OS管柵極高輸入阻抗的特性,一點(diǎn)點(diǎn)靜電或者干擾都可能導(dǎo)致MOS管誤導(dǎo)通,所以建議在MOS管G S之間并聯(lián)一個(gè)10K的電阻以降低輸入阻抗。不過放哪段都一樣的效果啊
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wxgsnake
LV.4
9
2019-09-16 14:35
我想是下拉電阻位置好像有點(diǎn)問題吧
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wrtiger88
LV.1
10
2019-09-16 22:45
有尖峰,是否可以考慮帶通回路,或者調(diào)整下拉電阻位置
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2019-10-09 20:31
@wrtiger88
有尖峰,是否可以考慮帶通回路,或者調(diào)整下拉電阻位置
樓主是不是深圳那家在逆變器上采用高阻隔離與數(shù)據(jù)說話的那家方案公司?
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gwf361
LV.1
12
2020-01-07 10:31
@FQCAD
不要盲目地相信公式,實(shí)際的條件與公式會(huì)有差異。經(jīng)驗(yàn)值更可靠,頻率不適合,過低或過高都會(huì)振蕩,你發(fā)現(xiàn)頻率越高尖峰就越高,你就應(yīng)該嘗試調(diào)低頻率看是什么情況,如果發(fā)現(xiàn)在頻率低時(shí),波形好了,說明是感量過大,即匝數(shù)過大
你說的很對(duì),我也是降低了幾K就可以了
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ALAN0908
LV.1
13
2020-01-07 13:36
@duxuqi
由于之前拿第一次設(shè)計(jì)的變壓器測試的時(shí)候尖峰很大,那時(shí)候就往PCB上想過,所以PCB也重新畫過PCB如圖[圖片]這是后改的,只焊變壓器初級(jí)進(jìn)行控制用,次級(jí)拿線連接到另一塊PCB。根據(jù)論壇搜到的各種改進(jìn)方案改進(jìn)過,比如回路縮短,銅箔等面積等。同時(shí)驅(qū)動(dòng)MOS改為直插,型號(hào)是IRFB4115PBF,驅(qū)動(dòng)芯片用了UCC27324DR,其他的還是用EG1611產(chǎn)生推挽信號(hào)。原理圖也附上。[圖片]
15k 左右就可以了 推挽頻率不要太高 太高不穩(wěn)定 你的MOS下拉怎么才1k 應(yīng)該是10k以前哦
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