低壓，大電流下，IGBT沒有任何優(yōu)勢，開關(guān)頻率一般只能20K內(nèi)，IGBT有固定壓降，至少都有2V以上，大電流下?lián)p耗是相當(dāng)可怕的，而MOS導(dǎo)通電阻可以達到幾毫歐，多管并聯(lián)，總電阻會更小，導(dǎo)通損耗很小。

同意樓上說的…………

除非你的前級輸入電壓幾百伏以上，電流幾十A以上。