CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來；檢驗封裝的良率。
現在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。
CP對整片Wafer的每個Die來測試，而FT則對封裝好的Chip來測試。
CP Pass 才會去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。
WAT是Wafer AcceptanceTest，對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數來監控各步工藝是否正常和穩定；
CP是wafer level的chip probing，是整個wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些基本器件參數的測試，如vt（閾值電壓），Rdson（導通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機臺的電壓和功率不會很高；
FT是packaged chip level的Final Test，主要是對于這個（CPpassed）IC或Device芯片應用方面的測試，有些甚至是待機測試；
Pass FP還不夠，還需要做process qual 和product qual
CP 測試對Memory來說還有一個非常重要的作用，那就是通過MRA計算出chip level的Repair address，通過Laser Repair將CP測試中的Repairable die 修補回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。
CP是對wafer進行測試，檢查fab廠制造的工藝水平；FT是對package進行測試，檢查封裝廠制造的工藝水平。
對于測試項來說，有些測試項在CP時會進行測試，在FT時就不用再次進行測試了，節省了FT測試時間；但是有些測試項必須在FT時才進行測試（不同的設計公司會有不同的要求）
一般來說，CP測試的項目比較多，比較全；FT測的項目比較少，但都是關鍵項目，條件嚴格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。
在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。FT相對來說簡單一點。還有一點，memory測試的CP會更難，因為要做redundancy analysis，寫程序很麻煩。
