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flying123
LV.6
2
2017-12-28 09:40
沙發
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weixiu123
LV.1
3
2017-12-28 09:41
我也想聽聽其他解釋   
0
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hylylx
LV.9
4
2017-12-28 10:35
我聽說的也是這個版本,其他版本的我也想了解一下。
0
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2017-12-28 12:50

我的回答不用錢, 純交流做公益......

先把所有零件拆除回歸基本間歇震盪器, 如圖:

第一圖, 注意線圈極性, 初始期間, 只有R對電晶體施加偏壓, 這偏壓電流很小, 此時電晶體操作在線性區, 電流流過線圈後, 極性上正下負, 同樣的輔助也是上正下負, 電晶體  IB = (Vin-Vbe) / R + IFB, 電晶體瞬間進入飽和區

===============================================================

當電晶體進入飽和區後, IC 固定, Vset =0.2V IFB 因為IC不再變化, 所以 IFB = 0 , 此時主線圈極性會反轉如圖二

變成上負下正, 此時 IFB 為負值, 因此 IB - 反向 IFB 則 IB<< 0 電晶體立刻截止

再看另一種接地式, 就是你PO的電路, 把所有不相關都拿掉 

一樣, 電晶體由線性區進入飽和區需要IFB, 截止需要電感極性反轉時的-IFB.....

這兩種電路其實是一樣, 極性也一樣, 只是上電路IFB線圈串連於主線圈, 圈數需很小, 不適合高壓結構

另一個IFB線圈接地, 可以使用高壓結構, 至於其他, 電容做藕荷, 電阻做阻尼或做Snubber, 那就不用說了....

所以將極性畫出就知道電晶體為何截止囉......

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2017-12-28 14:49
@juntion
我的回答不用錢,純交流做公益......先把所有零件拆除回歸基本間歇震盪器,如圖:[圖片]第一圖,注意線圈極性,初始期間,只有R對電晶體施加偏壓,這偏壓電流很小,此時電晶體操作在線性區,電流流過線圈後,極性上正下負,同樣的輔助也是上正下負,電晶體 IB=(Vin-Vbe)/R+IFB,電晶體瞬間進入飽和區===============================================================當電晶體進入飽和區後,IC固定,Vset=0.2VIFB因為IC不再變化,所以IFB=0 ,此時主線圈極性會反轉如圖二變成上負下正,此時IFB為負值,因此IB-反向IFB則IB
謝謝版主的精彩回答,圖文并茂,我終于明白了,這是我見過最直觀最能懂的回答,祝你好人好報!
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2017-12-30 22:11
@juntion
我的回答不用錢,純交流做公益......先把所有零件拆除回歸基本間歇震盪器,如圖:[圖片]第一圖,注意線圈極性,初始期間,只有R對電晶體施加偏壓,這偏壓電流很小,此時電晶體操作在線性區,電流流過線圈後,極性上正下負,同樣的輔助也是上正下負,電晶體 IB=(Vin-Vbe)/R+IFB,電晶體瞬間進入飽和區===============================================================當電晶體進入飽和區後,IC固定,Vset=0.2VIFB因為IC不再變化,所以IFB=0 ,此時主線圈極性會反轉如圖二變成上負下正,此時IFB為負值,因此IB-反向IFB則IB
這個是RCC?
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2018-01-01 20:03
@zz052025
這個是RCC?

這正確名稱為"間歇振蕩器"..... RCC是衍生出來的,兩個振蕩器同屬自激振蕩,唯一不同的是:

間歇振蕩振出類正弦,RCC因為用輔助繞組取負直整流后,利用一顆電晶體來關端主晶體,因此振出一個不對稱方波

間歇振蕩輸出可取正負值,RCC則取單相值........ 

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