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圖騰柱推不起來P溝道MOS,都快愁死了

各位神人,我做一塊PCB板,已經調試了3天了,板子不復雜,但是達不到效果。STM8的PWM頻率為50K,占空比10%,單片機供電為5V,三極管和PMOS供電為30V,  VOUT用示波器觀察永遠都是30V,我測試了TP點,發現高電平只有4.2V,永遠達不到使PMOS關閉的30V左右,求各位幫忙解決下,我一直在線,謝謝(板子和這個圖一模一樣的)

搜狗截圖17年11月16日0955_1

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2017-11-16 11:10
恭喜被添加到社區經典圖庫,并獲得1積分
http://www.laiyangyintong.cn/bbs/classic/
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2017-11-16 11:26
建議前面加個NPN管和上拉電阻做電壓轉換,同時把控制邏輯也反過來。
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2017-11-16 11:32
斷開R4,在這里加多一級三極管變換電路
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2017-11-16 11:38

請你把圖騰柱這樣改

因為你的MCU輸出耐壓只有5V, 你直接連電晶體的B, 則High信號直接由PNP_B灌入MCU, 產生漏電被箝位....

還有後端驅動P-Mosfet_G_S最好箝位一下, 因為Low Avtive 時, VGS 會達30V, 對MOSFET有危險

換這電路後,     輸出被反向所以你MCU 輸出也必須反向一次............

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2017-11-16 13:23
@juntion
請你把圖騰柱這樣改[圖片]因為你的MCU輸出耐壓只有5V,你直接連電晶體的B,則High信號直接由PNP_B灌入MCU,產生漏電被箝位....還有後端驅動P-Mosfet_G_S最好箝位一下,因為LowAvtive時,VGS會達30V,對MOSFET有危險換這電路後,   輸出被反向所以你MCU輸出也必須反向一次............
版主您好,利用午休時間我按照你的圖焊接成如圖所示,現在TP點可以達到30V左右電壓,但是VOUT用示波器看還是始終為30V的直流電,而不是幅值為30V的波形,另外那個150K的上拉去不去掉都是一個效果,

請版主指點下,
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2017-11-16 15:06
@小雞燉蘑菇
版主您好,利用午休時間我按照你的圖焊接成如圖所示,現在TP點可以達到30V左右電壓,但是VOUT用示波器看還是始終為30V的直流電,而不是幅值為30V的波形,另外那個150K的上拉去不去掉都是一個效果,[圖片]請版主指點下,

1). R4用到330K太大, 你30V輸入用10K就好

2). Q1你先用一顆K級電阻由MOSFET_D直接下地, 當負載電阻

3). R1, D3 , R2 就直接拿掉.....把P_MOSFET_G 直接連到TP 點

4). 圖騰柱PNP做箝位改成如下

這樣等於直接驅動, 所以High 電位趨於30V, Low 電位趨於20V(由穩壓管將電位了近10V).....

測試很簡單, 用聶子或導線, 對前端授MCU驅動電晶體_C_E短路或放開, Q1 就會跟著動作

若Q1 讓OUT 一直保持有輸出, 那你短路G-S, 若還有輸出, 那看是你極性反了(D-S)或那顆MOSFET掛掉

因為G-S短路, 則D-S不可能會導通, 除非是反向二極體的緣故....

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2017-12-11 10:32
@juntion
1).R4用到330K太大,你30V輸入用10K就好2).Q1你先用一顆K級電阻由MOSFET_D直接下地,當負載電阻3).R1,D3,R2 就直接拿掉.....把P_MOSFET_G直接連到TP點4).圖騰柱PNP做箝位改成如下[圖片]這樣等於直接驅動,所以High電位趨於30V,Low電位趨於20V(由穩壓管將電位了近10V).....測試很簡單,用聶子或導線,對前端授MCU驅動電晶體_C_E短路或放開,Q1就會跟著動作若Q1讓OUT一直保持有輸出,那你短路G-S,若還有輸出,那看是你極性反了(D-S)或那顆MOSFET掛掉因為G-S短路,則D-S不可能會導通,除非是反向二極體的緣故....
版主,您好,我現在改板子了,PCB現在出來了,但是頻率不能超過10K,如果超過10K,TP1,TP2用示波器測得波形凌亂,連矩形波的輪廓,都出不來降低頻率到10K以下就可以,請幫忙分析下,謝謝!

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st.you
LV.10
9
2017-12-11 12:39
占空比如果不要求為100%,試試把D3換成10V穩壓管, 它的負極接到30V,然后圖騰柱的輸出串聯一個104的電容再連接到Q1的柵極,實現電容隔離驅動。
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