反激電路中的初級MOSFET的G,D,S兩兩短路原因

本人接到一客戶投:-48V轉10V電源模塊的初級MOSFET的G,D,S兩兩短路,本人做了N天實驗,沒有個較好的結果,請教一下各位朋友,MOSFET的G,S短路可能由什么原因引起?反激時的尖峰能量是如何計算的? 1855371205317545.xls

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roamer.pan

LV.2

2008-03-13 09:10

自己頂一下,不知道如果MOSFET的VGS超出SPEC的話,DS會擊穿嘛?

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erjizhan

LV.5

2008-03-13 09:18

@roamer.pan

自己頂一下,不知道如果MOSFET的VGS超出SPEC的話,DS會擊穿嘛?

Vgs過壓會引起Vgs短路,從而也會使DS短路.

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roamer.pan

LV.2

2008-03-13 10:02

@erjizhan

Vgs過壓會引起Vgs短路,從而也會使DS短路.

謝謝!不過可不可分析具體一些?

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399858

LV.4

2008-03-14 20:04

@roamer.pan

謝謝!不過可不可分析具體一些?

在G與GND加一個10K的電阻,可能是因為你的尖峰電壓擊穿的．還可以在變壓器初級加吸收回路也有一點好處．

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roamer.pan

LV.2

2008-03-17 09:30

@399858

在G與GND加一個10K的電阻,可能是因為你的尖峰電壓擊穿的．還可以在變壓器初級加吸收回路也有一點好處．

這個電阻有加啊,直接有接在GS極上面,

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roamer.pan

LV.2

2008-03-29 10:42

這個問題搞定了,在一定的溫度及輸入電壓,負載條件下,開時瞬間,同步整流和初及MOSFET共通,然后持續下去,造成初級MOSFET熱死,之前一真在抓電壓的問題,沒有想到在那么多的特定情況下才會發生.煩了我兩個星期.

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erjizhan

LV.5

2008-03-31 09:38

@roamer.pan

呵呵

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反激電路中的初級MOSFET的G,D,S兩兩短路原因