各位大俠:
一臺電流型感應加熱電源,250V/200A,工作頻率300~400kHz.原先是選用IR公司的IRF460(20A/500V),每橋臂24只并聯.每只都加吸收電路(25歐電阻,1500P電容),門極電阻10歐,能工作到250V/200A額定.后來460器件供貨不暢加之老板想升級就選用了IXYS公司的IXTQ26N60P(26A/600V),該型管子的各項性能指標都比460強,200V以下工作良好,可是只要電壓超過200V就炸管子,且管子壞時火光四射(460壞時僅有輕微的爆裂聲).
能試的方法都試了,可還是不行,百思不得其解啊,各位大俠給出出主意這是什么原因呢?小妹拜謝了!!!
高頻電源,用IXTQ26N60P替代IRF460時為何老是炸管?
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@郁悶的小鳥
打電話問了,他說我的驅動能力不夠.我們覺得不可能啊,460比IXYS管子的驅動功率要求大多了,我的驅動既然能夠驅動460,怎么會驅動IXYS反而不夠呢?!我覺得是由于管子開關速度太快造成di/dt或dv/dt過大損壞的,各位大俠說說是不是這個原因造成的呢?小妹拜謝了.
IXYS的MOS只適合低頻工作,如果想到你那頻率,只有ZVS方式工作了.而且,要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內阻太大.從元件層面看,離柵遠的MOS單元該開是開不起;該關時關不掉.這是炸機的根本原因.
你現在有兩個方法解決:
1)換威士的460,IR的一級代理大體上都有代理這家的器件.(威士用的是IR工藝做的.)
2)在上升沿;用25V強觸發(fā)開通,開通穩(wěn)態(tài)用9~15V維持.在下降沿;用-15V強制關閉,關閉穩(wěn)態(tài)同0V維持.
你現在有兩個方法解決:
1)換威士的460,IR的一級代理大體上都有代理這家的器件.(威士用的是IR工藝做的.)
2)在上升沿;用25V強觸發(fā)開通,開通穩(wěn)態(tài)用9~15V維持.在下降沿;用-15V強制關閉,關閉穩(wěn)態(tài)同0V維持.
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@xkw1
IXYS的MOS只適合低頻工作,如果想到你那頻率,只有ZVS方式工作了.而且,要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內阻太大.從元件層面看,離柵遠的MOS單元該開是開不起;該關時關不掉.這是炸機的根本原因.你現在有兩個方法解決:1)換威士的460,IR的一級代理大體上都有代理這家的器件.(威士用的是IR工藝做的.)2)在上升沿;用25V強觸發(fā)開通,開通穩(wěn)態(tài)用9~15V維持.在下降沿;用-15V強制關閉,關閉穩(wěn)態(tài)同0V維持.
大俠說得很有道理,謝謝!我對器件的制造工藝不懂.
不過您說的“要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內阻太大.從元件層面看,離柵遠的MOS單元該開是開不起;該關時關不掉.這是炸機的根本原因”和您出的第二個解決方案向矛盾啊,強觸發(fā)時dv/dt更大啊,那不更容易損壞?
IRFP460和IXYS管子的參數表面上看開關速度差的很多,我總覺得IR公司的產品既然速度慢還挺有市場,管子內在結構必然有其獨特優(yōu)點,只是不知是什么.
愿大俠賜教!!
謝謝
不過您說的“要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內阻太大.從元件層面看,離柵遠的MOS單元該開是開不起;該關時關不掉.這是炸機的根本原因”和您出的第二個解決方案向矛盾啊,強觸發(fā)時dv/dt更大啊,那不更容易損壞?
IRFP460和IXYS管子的參數表面上看開關速度差的很多,我總覺得IR公司的產品既然速度慢還挺有市場,管子內在結構必然有其獨特優(yōu)點,只是不知是什么.
愿大俠賜教!!
謝謝
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@郁悶的小鳥
大俠說得很有道理,謝謝!我對器件的制造工藝不懂.不過您說的“要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內阻太大.從元件層面看,離柵遠的MOS單元該開是開不起;該關時關不掉.這是炸機的根本原因”和您出的第二個解決方案向矛盾啊,強觸發(fā)時dv/dt更大啊,那不更容易損壞?IRFP460和IXYS管子的參數表面上看開關速度差的很多,我總覺得IR公司的產品既然速度慢還挺有市場,管子內在結構必然有其獨特優(yōu)點,只是不知是什么.愿大俠賜教!!謝謝
開時,用更高的電壓觸發(fā),可以在相同的柵電阻的條件下,能有更大的驅動電流,遠處的MOS單元可以更快的開,反之,關閉時負壓驅動;能更快的驅動遠處的MOS單元.
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