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大俠:請(qǐng)問(wèn)圖中的470Ω電阻起什么作用? (好象把它省去也無(wú)影響)

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philips
LV.8
2
2004-12-10 13:29
不可以!省去之后觸發(fā)電壓沒(méi)有了可控硅能導(dǎo)通嗎?
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philips
LV.8
3
2004-12-10 13:33
@philips
不可以!省去之后觸發(fā)電壓沒(méi)有了可控硅能導(dǎo)通嗎?
除非內(nèi)部已有這個(gè)電阻,不過(guò)可控硅分全控型和半控型.
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sener
LV.1
4
2004-12-10 17:39
@philips
不可以!省去之后觸發(fā)電壓沒(méi)有了可控硅能導(dǎo)通嗎?
但我看到某些觸發(fā)電路上是無(wú)此R
可控硅工作在二,三象限,具體分析下看看
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2004-12-10 17:43
@sener
但我看到某些觸發(fā)電路上是無(wú)此R可控硅工作在二,三象限,具體分析下看看
這個(gè)電阻是用來(lái)降低靈敏度的,防止誤觸發(fā).
去掉累計(jì)電荷
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22137
LV.4
6
2004-12-10 18:58
@b.r.g.j.wallace航天電源
這個(gè)電阻是用來(lái)降低靈敏度的,防止誤觸發(fā).去掉累計(jì)電荷
這個(gè)分析是對(duì)的,此電阻可以比喻為晶體管的E--B之間的電阻,提高抗干擾能力,防止小信號(hào)的誤觸發(fā),它主要是在關(guān)斷時(shí)發(fā)揮作用,提高觸發(fā)信號(hào)的門檻.去掉也可以,但在電磁干擾嚴(yán)重的場(chǎng)合,會(huì)出現(xiàn)誤觸發(fā).
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philips
LV.8
7
2004-12-11 12:40
@22137
這個(gè)分析是對(duì)的,此電阻可以比喻為晶體管的E--B之間的電阻,提高抗干擾能力,防止小信號(hào)的誤觸發(fā),它主要是在關(guān)斷時(shí)發(fā)揮作用,提高觸發(fā)信號(hào)的門檻.去掉也可以,但在電磁干擾嚴(yán)重的場(chǎng)合,會(huì)出現(xiàn)誤觸發(fā).
閣下可否談一下可空硅的工作原理?
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2004-12-15 17:09
@philips
閣下可否談一下可空硅的工作原理?
給出你的E-mail
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2004-12-15 17:20
@22137
這個(gè)分析是對(duì)的,此電阻可以比喻為晶體管的E--B之間的電阻,提高抗干擾能力,防止小信號(hào)的誤觸發(fā),它主要是在關(guān)斷時(shí)發(fā)揮作用,提高觸發(fā)信號(hào)的門檻.去掉也可以,但在電磁干擾嚴(yán)重的場(chǎng)合,會(huì)出現(xiàn)誤觸發(fā).
高手!佩服!
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mangrove
LV.2
10
2004-12-15 19:19
@鄉(xiāng)下仔
高手!佩服!
該電阻具體說(shuō)是觸發(fā)用的,不是抗干擾的,抗干擾的應(yīng)該是在T2和控制極上加的!
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晶體管
LV.4
11
2004-12-15 22:46
@mangrove
該電阻具體說(shuō)是觸發(fā)用的,不是抗干擾的,抗干擾的應(yīng)該是在T2和控制極上加的!
我同意這種說(shuō)法,我也認(rèn)為這個(gè)電阻不應(yīng)該是抗干攏的.

樓主確定去掉它后可以觸發(fā)成功?
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2004-12-16 10:13
@晶體管
我同意這種說(shuō)法,我也認(rèn)為這個(gè)電阻不應(yīng)該是抗干攏的.樓主確定去掉它后可以觸發(fā)成功?
雙向可控硅沒(méi)有必要這樣觸發(fā)的.這個(gè)電阻不是抗干擾,而是可控硅型號(hào)不同,摟住的可能是靈敏型的,用久了會(huì)產(chǎn)生累積電荷造成誤觸發(fā),圖中用熱res來(lái)放電.假如是遲鈍的H型號(hào),就沒(méi)有必要了.
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yarnn
LV.4
13
2004-12-17 11:03
@b.r.g.j.wallace航天電源
雙向可控硅沒(méi)有必要這樣觸發(fā)的.這個(gè)電阻不是抗干擾,而是可控硅型號(hào)不同,摟住的可能是靈敏型的,用久了會(huì)產(chǎn)生累積電荷造成誤觸發(fā),圖中用熱res來(lái)放電.假如是遲鈍的H型號(hào),就沒(méi)有必要了.
我是菜鳥(niǎo)一個(gè)
想法與各位大俠不同


我認(rèn)為應(yīng)該不是放電苛的
因?yàn)樾狗烹姾蓻](méi)必要用這么小的電阻
至少也要上千歐吧

至于觸發(fā)吧
可能我見(jiàn)識(shí)淺薄
我還沒(méi)見(jiàn)過(guò)這種觸發(fā)方式

從下面的三極管來(lái)看
我想應(yīng)該是作為保護(hù)性旁路吧
防止在三極管全飽合時(shí)
電流全部從G極流過(guò)
從而導(dǎo)致可控硅G燒壞
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lhf0902
LV.4
14
2004-12-17 12:50
@philips
不可以!省去之后觸發(fā)電壓沒(méi)有了可控硅能導(dǎo)通嗎?
本人是個(gè)大菜鳥(niǎo),比較同意用來(lái)觸發(fā)的說(shuō)法,弱弱的問(wèn)一下:如果沒(méi)有那個(gè)電阻,三極管豈不是沒(méi)有直流偏置了?還怎么工作呢?觸發(fā)信號(hào)怎么放大傳遞呢?
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6926011
LV.2
15
2004-12-17 12:55
為三極管提供靜點(diǎn)
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逍遙子
LV.5
16
2004-12-17 13:28
可控硅的符號(hào)都畫反了.
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zhyang
LV.1
17
2004-12-17 15:13
@6926011
為三極管提供靜點(diǎn)
同意14帖觀點(diǎn).
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黃小青
LV.5
18
2004-12-17 16:01
我同意觸發(fā)的意見(jiàn)! 鼓掌!!!  
470歐的電阻是啟動(dòng)三極管的來(lái)源啊!
另外,斷開(kāi)時(shí),470也是提高抗干擾能力,防止小信號(hào)的誤觸發(fā),釋放斷電時(shí)可控硅釋放的信號(hào),同時(shí)也起到保護(hù)整個(gè)電路的作用.
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2004-12-23 16:21
L 應(yīng)該為H 就對(duì)了,什么都能解決了
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2004-12-23 16:25
若L為H,H當(dāng)有高電平時(shí),晶匝管打開(kāi),如果輸入口傳入一個(gè)高電平信號(hào),三極關(guān)到通,33 能拉成低電瓶,關(guān)斷晶扎管
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njhill
LV.3
21
2004-12-23 20:54
在這個(gè)線路中作用為提供觸發(fā)電壓.
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pengq318
LV.4
22
2004-12-23 21:42
@b.r.g.j.wallace航天電源
給出你的E-mail
謝謝,我也想知道可控硅的工作原理啊
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