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各位大神,開關(guān)電源整流前EMI設(shè)計的電容電感值怎么確定?還有單端反激降壓的反向電動勢值怎么確定?

各位大神,開關(guān)電源整流前EMI設(shè)計的電容電感值怎么確定?還有單端反激降壓的反向電動勢值怎么確定?

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2017-06-02 11:26
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2017-06-02 23:49

EMI電容、電感都是要測試才知道行不行啊,能小盡量用小啊,不能過才加大啊

反向電動勢是什么?次級耦合到初級的電壓嗎?

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2017-06-03 13:44

EMI電容 (X電容)與你的共模電感有關(guān), 共模電感感量越大, X2電容可以變小, 但還是要在實驗室實測較準(zhǔn)...

若要過安規(guī), 通常, 低於104以下X電容在L_N路徑上可不加洩放電組, 容值若越高, 則洩放電組的阻值要越低才可以符合安規(guī)洩放電壓要求

反電動勢為, 當(dāng)MOS off 後, 副邊開始有電流流通, 因此可以視為從副邊偶合到原邊電壓0

週期忽略, 式子    NS / NP = (VS+VF) / Vp'

 VP' = NP*(VS+VF) / NS  

假設(shè)你NP=100T  NS=12T  VS = 12V   VF =0.4V則, 

VP' = (100*12.4) / 12 =103V, 所以你的原邊主MOSFET兩端,  VDS(min) = Vp+Vp' 

當(dāng)AC輸入使直流最高整流為 380V時, MOSFET_VDS(min)為 380V+103V = 480V  <==103V就是你的反電洞勢, 且為理想值..

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ways365
LV.1
5
2017-06-05 08:54
@juntion
EMI電容(X電容)與你的共模電感有關(guān),共模電感感量越大,X2電容可以變小,但還是要在實驗室實測較準(zhǔn)...若要過安規(guī),通常,低於104以下X電容在L_N路徑上可不加洩放電組,容值若越高,則洩放電組的阻值要越低才可以符合安規(guī)洩放電壓要求反電動勢為,當(dāng)MOSoff後,副邊開始有電流流通,因此可以視為從副邊偶合到原邊電壓0週期忽略,式子  NS/NP=(VS+VF)/Vp' VP'=NP*(VS+VF)/NS 假設(shè)你NP=100T NS=12T VS=12V VF=0.4V則, VP'=(100*12.4)/12=103V,所以你的原邊主MOSFET兩端, VDS(min)=Vp+Vp' 當(dāng)AC輸入使直流最高整流為380V時,MOSFET_VDS(min)為380V+103V=480V 
謝謝,受教了
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2017-06-06 09:39
@ways365
謝謝,受教了
偷取經(jīng)驗嘍
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