注意下輸出二極管的反向耐壓、輸出電容的耐壓還有采樣分壓電阻調(diào)正一下，其它的好像沒什么了。

輔助繞組也要改, 不然VCC供電會超高, 最好量一下波形, 可能副邊431補(bǔ)償電容須修正.....

只改次級繞組會影響VCC繞組嗎？反饋部分如果只改下分壓電阻（接地的那個(gè)）對環(huán)路不會造成影響。

改次級的話輔助繞組也要改嗎？輔助繞組應(yīng)該也是靠初級繞組耦合的吧，所以應(yīng)該不用改沒關(guān)系吧

輔助繞組可以不改。431周邊元件要改一下。

那輔助就不要改囉, 反正12V滿載時(shí), 輔助電壓很高就用慢管把他壓下來就好......

好的

注意耐壓器件！！

VCC繞組要改，不改的話，VCC肯定會很高，除非有線性穩(wěn)壓電路

有概念, 不錯(cuò).....

    現(xiàn)在的PWM, 不可以用384x的觀點(diǎn)來看, 因?yàn)?84x是高啟動(dòng)電流, 空載沒有Burst Model, 重載IC耗電大

所以VCC不會隨便亂飄, 因?yàn)橹剌dVCC升高剛好是Driver 驅(qū)動(dòng)大, 相形之下等於VCC假負(fù)載變大所以VCC不會變高

再者, 因?yàn)檫M(jìn)入OPP模式時(shí), VCC若太高, 通常低壓(5V或3.3V)很難將VCC拉掉, 因此設(shè)計(jì)時(shí)通常會把VCC設(shè)計(jì)低一點(diǎn),ˋ再加一點(diǎn)假負(fù)載, 用效率換穩(wěn)定, 或在SPEC上註明min Load.......

     現(xiàn)在的PWM都很省電, 空載要求損耗低, 因此進(jìn)入空載時(shí)會有Burst Model, 使損耗變小, 但是當(dāng)進(jìn)入Burst後, Vcc因?yàn)椴蛔? 所以空載就跳動(dòng)進(jìn)入打嗝, 所以須將Vcc提高, 以5V為例, 空載需要穩(wěn)定, 則VCC保持在12V工作狀態(tài), 當(dāng)你負(fù)邊改為12V, 則輔助也會多出12V好幾圈, 才可以保持12V空載不打嗝, 此時(shí)當(dāng)12V電流上升, 輔助電壓飄動(dòng)率當(dāng)然會比5V高, 這應(yīng)該算PWM的優(yōu)點(diǎn), 因?yàn)槭‰? 但也算缺點(diǎn), 不過還好的是, 當(dāng)OPP頂?shù)结? 輸出電壓往下掉, 只要光耦不導(dǎo)通使Vfb 電位拉高, 馬上進(jìn)入打嗝模式...........

那按您的意思要不要輔助繞組的匝數(shù)？

可能大家誤解了。如果次級繞組匝數(shù)相應(yīng)更改了的話，輔助繞組可以不改。

你就看副邊圈數(shù), 與輔助的圈數(shù), 如果1:1情況下空載會打嗝, 輔助加一圈......

總結(jié)一下，變壓器的匝比要改，應(yīng)該不是很難，以前5V是多少圈，算出每圈的電壓是多少V?再用12V的去除以以前的每圈的電壓，就可以得到大概的圈數(shù)額的。vdd的電壓應(yīng)該也要做相應(yīng)的更改，每一圈的電壓知道了，看一下IC的規(guī)格書，去一個(gè)比較折中的vdd電壓，再除以每圈的電壓，就可以算出圈數(shù)了的。

IC的限流電阻部分看情況，要做適當(dāng)?shù)淖兓］敵鲭妷旱姆謮弘娮枰惨兓敵鲚敵鲂ぬ鼗哪蛪阂惨紤]一下。拙見。可以參考。

juntion老師寫得看不懂呢，很多專業(yè)詞匯第一次聽說..........................

這是現(xiàn)在PWM IC為了更省電, 與空載或輕載增加效率所發(fā)展出來的幾個(gè)模式

Burst Model

ON週期縮到最小, 只在特定頻率點(diǎn)出現(xiàn)SW波形, MOSFET可以完全ON, 但只要補(bǔ)能量維持輸出就好, 適合在空載

模式

Velley Skip 或稱Cycle Skip

週期展開, 且進(jìn)入高週期連續(xù), 其中由VCC高點(diǎn)偵測把多於能量抑制, 此模式適合在輕載模式, 波形上為VCC, 下為

SW

QR

保持在BCM模式, 此時(shí)頻率會隨負(fù)載變化, 這種適合於中載或滿載, 但真正適合滿載為CCM, 但CCM峰值較高, QR較低......

還有一些沒啥用的模式就不提了..