反激是的計算 NP/NS = (VP*Ton) / ((VS+VF)*(1-Ton)

此時你可以發現Ton的週期是可以開到非常大, 但是一般在設計上因為考慮到變壓器的厲磁與mosfet所承受的

電流硬力, 會把它設計在約50%左右...

又考慮到儲存電容於交流時的整流漣波與動態穩定度, 所以在低壓段一般都會取45%左右, 以保證其容餘量不超過50% 但是這樣的設計會有幾種狀況 :

1). 副邊二極體電壓高度可下降, 高度一但下降則可以使用耐壓越低的二極體, 但是二極體耐壓下降其VF可降低, 但      是IR值是升高的, 因為二極體的導通時間變大了, 若VF的影響較大, 則IR的損失是可以彌補的..

2). 變壓器的厲磁變大, 但是其耦合會變好, 藕合變好其效率會高,但因為導通時間變大, 其銅損與磁損會變大, 假設藕合效率提升遠大於磁損與銅損, 則兩者可以不考慮......

3). 原邊反饋電壓變高, 由於圈比拉大, 所以從副邊在oFF時所疊加於原邊mosfet電壓變高, 造成MOSFET的交換損 

     失變大, 假如選用的MOSFET規格較好, 耐壓高且RDSon 較低,Qg也快Ciss也小, 則可以忽略其交換損失...

     以上三點就是我們設計上所謂的"熱轉移" ........

而當你把副邊圈數加大, 表示圈比很接近, 此時二極體耐壓要變高, 相對IR是下降, 但VF是上升的, 所以可以在二極體的ID VS VF 曲線尋找適合的二極體, 那有標示流過多大電流時其VF值, 取值好, 相對效率也會高..

變壓器由於導通時間變短, 厲磁變小, 理論上可以增加感量, 以提升其偶合係數, 這樣能量轉移才會好, 效率也可以

拉高..

MOSFET 因為反饋電壓降低, 可以在耐壓上做選擇, 例如原耐壓需650V, 你可以降為600V, 則這樣的規格RDSon 可以很低, 相對Qg與Ciss值也可以變小, 而MOSFET 因為電流硬力變小, 相對交換損失也會變小.....

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若你只是單純改變副邊圈數而其他都沒有修改, 那效率差是一定的.........

反激電源是儲能放電，次級匝數多了，分到每匝的電壓就小。電流的下降率就變小，容易導致一個周期里不能放完磁心的能量。這和原邊匝數多了會在固定周期內達不到電流道理是一樣的。

簡單的比方，一個勺子一秒中接滿水，倒水速度慢了，一秒鐘沒倒完又要去接水，那么傳遞水的總水流量就降下來了。

謝謝，再請教您一個問題。對于幾十瓦的反激電源，因為可以通過調節磁芯氣隙改變電感量，所以電感大小很大部分取決于繞制匝數。這樣的話，伏匝數怎么計算，或者一般多少合適，有沒有經驗值？

直接把24V的變壓器

拿去裝12V ADAPTOR就知道了

現在是知道現象，想了解原因

不考慮工藝影響，增大次級匝數后帶來的結果是：

占空比D減小，斷續模式會轉向連續模式，連續模式會進入深連續模式

輸出二極管反向耐壓變大，MOS管Vds電壓減小（反射電壓小了），此時可增大RC電路中的R提高效率

MOS管的峰值電流變大

變壓器的工作磁通密度變大，初級線圈電流密度增大，次級線圈電流密度降低

由于轉向連續模式△B的變化更小磁芯損耗會降低，引起效率降低的主要原因應當是變壓器的初級線圈電流密度太大造成的損耗不均衡。

怎么能直接將副邊匝數增加一倍呢，輸出都不是自己想要的了吧，電源直接異常了吧

先根據變壓器磁芯型號確定下初級最少需要多少圈（Np=VT/BAe），再根據MOS管耐壓VDS，母線電壓Vbus，輸出電壓VO等算下匝比（VDS=VBUS+NP/NS*（VO）），接著根據工作模式算下電感量等等，圈數都是有講究的，哪能隨意加

副邊匝數增加一倍,芯片VCC減半

dI/dT=V/L, 如果匝數多了一倍，電感量L加到原先的4倍，輸出電壓V不變的話電流變化率將變成原先的四分子一，放電時間要增加到原先的4倍。

反激變壓器因為要照顧開關管的耐壓，次級伏匝數不與初級一樣但不可偏差太多。通常用反射電壓加Vmax和尖峰電壓后，要比開關管耐壓小50V以上。然后用反射電壓與輸出電壓算匝比。意思就是用反射電壓算這個所謂的伏匝數。

是的，謝謝修提醒