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幫忙給看一下這個過壓保護有缺陷嗎

QQ圖片20161128170751圖中的電路為USB的輸出過壓保護，大家?guī)兔o看一下有沒有什么缺陷。還有加上這一塊對手機有沒有損害或風險。 D3位置為輸出位置。      坐等回復(fù)

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2016-11-28 20:25

這當然有缺陷, D1使用4.7V穩(wěn)壓管, Q1,Q2組成達靈頓, 可能你的目的是要讓Q2快速導(dǎo)通史Q3 off, 但卻讓保護電壓往上升

穩(wěn)壓管4.7V+Q1_Vbe+Q2_Vbe, 少說也要5.9V, 且過電壓保護通常要用自閉鎖, 就是一觸發(fā)就要關(guān)斷直到輸入移除, 不然後面負載都死一堆了

電壓還在跳動.....

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2016-11-29 10:12
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://www.laiyangyintong.cn/bbs/classic/
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恒雪
LV.3
4
2016-11-29 14:17
@juntion
這當然有缺陷,D1使用4.7V穩(wěn)壓管,Q1,Q2組成達靈頓,可能你的目的是要讓Q2快速導(dǎo)通史Q3off,但卻讓保護電壓往上升穩(wěn)壓管4.7V+Q1_Vbe+Q2_Vbe,少說也要5.9V,且過電壓保護通常要用自閉鎖,就是一觸發(fā)就要關(guān)斷直到輸入移除,不然後面負載都死一堆了電壓還在跳動.....
現(xiàn)在需要的就是，超過5.5V或者6.0V就切斷輸出，這是打算用在USB充電上的，芯片本身過流保護，短路保護。 自鎖必須要加上嗎，不加上有什么影響。
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2016-11-29 15:06
電路原理根本就不對！
0
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恒雪
LV.3
6
2016-11-29 15:14
@yaojinc1962
電路原理根本就不對！
哦 還有一個用P溝道m(xù)os管的電路圖你給看一下方便嗎？
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恒雪
LV.3
7
2016-11-29 15:17
@恒雪
哦還有一個用P溝道m(xù)os管的電路圖你給看一下方便嗎？

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2016-11-29 15:38
@恒雪
[圖片]
這個原理沒問題! 需要注意：穩(wěn)壓管要用5.1V0.5W的，設(shè)計好R3R4的取值使DZ1至少要有3毫安的電流，否則電壓偏低，PMOS管要選低導(dǎo)通電阻的，如SI2301。該電路為限壓保護電路。
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恒雪
LV.3
9
2016-11-29 15:53
@yaojinc1962
這個原理沒問題!需要注意：穩(wěn)壓管要用5.1V0.5W的，設(shè)計好R3R4的取值使DZ1至少要有3毫安的電流，否則電壓偏低，PMOS管要選低導(dǎo)通電阻的，如SI2301。該電路為限壓保護電路。
用si2301 是不是會有些發(fā)熱，規(guī)格書上寫的最大2.3A。這個電路可以達到1.8A的輸出
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sdhuazhong
LV.1
10
2016-11-29 16:04
表示看不懂  
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yaojinc1962
LV.6
11
2016-11-29 16:19
@恒雪
用si2301是不是會有些發(fā)熱，規(guī)格書上寫的最大2.3A。這個電路可以達到1.8A的輸出
電流是有點小，那就SI2307吧，因為內(nèi)阻很小，不會太熱。
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2016-11-29 17:48
@恒雪
現(xiàn)在需要的就是，超過5.5V或者6.0V就切斷輸出，這是打算用在USB充電上的，芯片本身過流保護，短路保護。自鎖必須要加上嗎，不加上有什么影響。
若下圖用P-MOSFET 當開關(guān)瞬間關(guān)斷, 則不必加自鎖, 若你原先是一個信號源, 則自鎖是必須的..
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