用TL431做欠壓關(guān)斷電路，不知是否可行？請大神來討論一下

大概原理是這樣：根據(jù)130V時的電壓計算分壓基準(zhǔn)，當(dāng)電壓高于130V后，TL431的陰極到陽極導(dǎo)通，P-MOS的G極電壓為零，管子開通；當(dāng)電壓低于130V時，TL431的陰極到陽極截止，P-MOS的G極電壓為分壓所得的11V左右，然后管子截止。困惑一：TL431在這種環(huán)境中是否可以長時間工作？困惑二：該電路方案是否可行，有沒有BUG存在？請大神不吝賜教！

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ymyangyong

2016-06-14 15:15

R3上一直有壓差，T1截止不了，而且柵極還會過壓擊穿。

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417zhouge

2016-06-14 15:21

用檢測電路加繼電器控制，可能會簡單點(diǎn)，還要有個NTC之類的。

MOSFET在這里做高壓開關(guān)感覺不怎么合適。

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kindled

LV.4

2016-06-14 16:24

你的線路理論上是可行的，但現(xiàn)實(shí)是殘酷的：TL431耐壓不足，MOS管的Vgs耐壓也不足，正確的做法檢測（最好是帶窗口電路的檢測）電壓，然后控制對地的MOS管關(guān)斷。這樣就不會面臨著耐壓的問題；要控制正極的話也可以用光耦隔離。不加窗口電路的話有可能會工作在放大狀態(tài)。容易燒MOS管。

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電源網(wǎng)-fqd

2016-06-15 11:03

已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://www.laiyangyintong.cn/bbs/classic/

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787746636

LV.1

2016-06-15 13:07

@ymyangyong

R3上一直有壓差，T1截止不了，而且柵極還會過壓擊穿。

這個電路是在另外一個電路上改的，沒經(jīng)過驗(yàn)證，就先請教一下，怕做出來不能用；自己感覺電路是有點(diǎn)不對勁，看不出具體原因。下面這張是原來的電路圖，是用在低壓環(huán)境的

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787746636

LV.1

2016-06-15 13:14

@417zhouge

用檢測電路加繼電器控制，可能會簡單點(diǎn)，還要有個NTC之類的。MOSFET在這里做高壓開關(guān)感覺不怎么合適。

是不可以從310V電阻分壓取個電位，然后和基準(zhǔn)電壓通過一個比較器作比較，輸出一個電平信號，再通過一個三極管驅(qū)動繼電器。

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787746636

LV.1

2016-06-15 13:32

@kindled

加窗口電路感覺有點(diǎn)復(fù)雜了，把PMOS放在地線控制開關(guān)確實(shí)比較好。

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kindled

LV.4

2016-06-15 17:31

@787746636

加窗口電路感覺有點(diǎn)復(fù)雜了，把PMOS放在地線控制開關(guān)確實(shí)比較好。

你用PMOS管還是不能正常的工作的，正確是用NMOS，加多一個三極管做反相控制。

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ymyangyong

2016-06-15 20:18

@787746636

這個電路是在另外一個電路上改的，沒經(jīng)過驗(yàn)證，就先請教一下，怕做出來不能用；自己感覺電路是有點(diǎn)不對勁，看不出具體原因。下面這張是原來的電路圖，是用在低壓環(huán)境的[圖片]

低壓下可以，高壓下就不行了。

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787746636

LV.1

2016-06-18 13:01

@kindled

你用PMOS管還是不能正常的工作的，正確是用NMOS，加多一個三極管做反相控制。

根據(jù)你的建議我改了一下電路，現(xiàn)在看起來貌似可以了，但是12V供電電路看著有點(diǎn)脆弱；實(shí)際上要是在主開關(guān)電路之外有一路獨(dú)立的12V電源的話，實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)的方法就簡單了，可以實(shí)用比較器加MOS或者比較器加繼電器的方式；但是這樣的話，要有一個200VAC~12VDC的電路，成本會增加很多！