3.畫原理圖：確定所選擇的芯片以后，開始做原理圖sch，在這里我選用的是TOP224Y（集成MOSEF）進行設計。設計前最好都先看一下相應的datasheet，確定一下簡單的參數。無論是選用PI的集成，或者3842系列都要參考一下datasheet。一般datasheet里面都會附有簡單的電路原理圖，這些事我們設計的基礎依據。

           4.確定相應的技術參數：當我們將原理圖sch完成以后，需要確定相應的參數才能進入下一步PCB制作。當然這個還要看個人的喜好和使用熟練程度。我們需要遵循應該有的設計流程，養成一個良好的習慣，這一步還要繼續評估前面的設計，調整原理圖調整電源的各項參數。

=============================4.25

今天開始講到關鍵的部分

      5.根據電源的工作頻率也就是mos管開關頻率，選擇磁芯確定變壓器。這里確定芯片的工作頻率為70KHz，芯片頻率跟各個公司的規定走。變壓器磁芯暫時定為EER28/28L，要是不合適在改動。一般ACDC小功率電源工作頻率不要選擇超過100KHz，主要是開關電源的頻率過高以后，不利于系統的穩定不利于EMC的通過。頻率太高，相應的di/dt 和dv/dt都會增加的，也有部分PI芯片高達132KHz。大家要多多總結，總結一下各家產品的特點。

這兩天忙沒有寫！20W~40W范圍內EE25EER25EER28EFD25EFD30等均都可以。

　關于變壓器磁芯的選擇

　　功率大小：

　　小于5w可使用的磁芯：

　　ER9.5,ER11.5,EE8.3,EE10,EE13,RM4,GU11,EP7,EP10,UI9.8,URS7

　　5-10W可使用的磁芯：

　　ER20,EE19,RM5,GU14,EFD15,EI22,EPC13,EF16,EP13,UI11.5

　　10-20W可使用的磁芯：

　　ER25,EE20,EE25,RM6,GU18,EPC17,EF20

　　20-50W可使用的磁芯：

　　ER28,ETD28,EI28,EE28,EE30,EF25,RM8,GU22,PQ20,EPC19,EFD20

　　50-100W可使用的磁芯：

　　ER35,ETD34,EE35,EI35,EF30,RM10,GU30,PQ26,EPC25,EFD25

　　100-200W可使用的磁芯：

　　ER40,ER42,ETD39,EI40,RM12,GU36,PQ32,EFD30

　　200-500W可使用的磁芯：

　　ER49,ETD49,EC53,EE42,EE55,EI50,RM14,GU42,PQ35,PQ40,UU66

　　大于500W可使用的磁芯：

　　ER70,ETD59,EE65,EE85,GU59,PQ50,UU80,UU93

　　磁芯與傳輸功率對照表

是的表格對反激電路有效

電路里面最關鍵的變壓器開始設計 —  EER28/28L

輸入input：85~265Vac

輸出output：12V2A

關頻率Fsw：70kHz

磁芯core：EER28/28L

磁芯參數：Ae82mm2

以上均是已知參數，我們還需要設定一些參數，就可以進入下一步計算。

輸入input：85~265Vac

輸出output：12V2A

開關頻率Fsw：70kHz

磁芯core：EER28/28L

磁芯參數：Ae82mm2

以上均是已知參數，我們還需要設定一些參數，就可以進入下一步計算。

設定參數：

效率η=80%

最大占空比：Dmax=0.45

磁感應強度變化：ΔB=0.2

有了這些參數以后，我們就可以計算得到匝數和電感量。

輸出功率Po=12V*2A=24W

輸入功率Pin=Po/η=24W/0.8=30W

輸入最低電壓Vin(min)=Vac(min)*sqr(2)=85Vac*1.414=120Vdc

輸入最高電壓Vin(max)=Vac(max)*sqr(2)=265Vac*1.414=375Vdc

輸入平均電流Iav=Pin/Vin(min)=30W/120Vdc=0.25A

輸入峰值電流Ipeak=4*Iav=1A

原邊電感量Lp=Vin(min)*Dmax/(Ipeak*Fsw)=120Vdc*0.45/(1A*70K)=770uH