VCC的二極管用慢管，串磁珠，VCC還過壓的話，可以考慮vcc繞組少繞一圈。

RCD吸收的電阻用阻值小點的吸收MOSFET的電壓尖峰。

輸出5V，4圈，VCC10圈。剛開始用的ES1D后來改為US1M，VCC限流電阻也加大了，VCC雜數(shù)也改為9圈，還是過壓，效果不顯著。后在VCC上面并了一個18V穩(wěn)壓管，VCC不過壓了。但是反激電壓很高，5V帶4A，反激電壓高達500V。但請講解一下

MOSFET的峰值電壓，參考下圖。

http://www.laiyangyintong.cn/bbs/1518498.html

我這個電阻分析的帖子里面，第40樓有具體資料，可以參考下。

VCC繞組，可以采用3根線并饒，增強耦合，對帶輕載和重載時VCC的電壓會平衡。

謝謝詳情解答