期待中,很實際的問題!

電感的起始端接錯了也出現這種問題,電感的設計不當也會.

帶載能力低應該是變壓器設計不合理,比如初級電感量太大,在充磁周期內儲能不足,又或匝比太大,次極退磁不良,導致變壓器趨近飽和,還有可能是初級電感太小,導致IC內限流保護動作引起功率下降

要提高帶載能力,需要更多的試驗驗證,如果峰值電流與占空比已定那么CCM模式要獲得比DCM模式的功率大,但這也不是絕對的,因為在你設計CCM模式時你可能通時減小氣隙來增加電感量,這樣會引起變壓器飽和,當然不能輸出更大功率啦,通過增加匝數方法這方法是可行但要選擇適當,當匝數過多會導致線損過大,還有一個問題工作于DCM模式時要考慮MOS管的驅動與損耗在MOS管的選用與驅動是很重要的,當然還要考慮整流管的損耗(工作于CCM模式時要求更快的反向恢復時間)這些問題在你多次試驗后會找出一個更佳的工作點.

可以這樣理解不:帶載能力低時,在保證不達到磁飽和以及保護電流的前提下,我適當的增加初級線圈匝數,增大磁芯的窗口面積,磁路加入氣隙的方法就可以提高電源的帶載能力?!

對于RCC這種理解是不對的,在RCC反激模式下,能量是通過磁芯存儲轉到次級的,因此要提高次級帶載能力,有以下途徑:
1.減小初級電感量,增加初級電流,以便在允許的脈寬內儲存更多的能量
  如減少匝數,增大磁隙等
2.在允許的占比下增加脈沖頻率,以便單位時間內傳遞更多的脈沖能量
3.增加初級電壓

以上方式均只與磁芯和初級有關,次級只和輸出電壓以及退磁有關

因為IP*LP=VS*TON
又LP=N*N*AL
故N*N*IP*AL=VS*TON
所以我認為通過增加匝數N可以提高TON,同樣也提高了輸出電壓,增大帶載能力.
大俠門,不知我推理的對不對?!

完全正確,但會增加反謝電壓

只能少量增加,太多會導致反壓過高,小心你的功率管,再有就是有可能使頻率降低太多產生嘯叫