HiperPFS?系列器件將一個連續(xù)導通模式(CCM) PFC升壓控制器、柵極驅(qū)動和高壓功率MOSFET集成在一個超薄eSIP?功 率封裝中，能夠提供接近1的輸入功率因數(shù)。HiperPFS器件可省去PFC轉(zhuǎn)換器所需的外部電流檢測電阻，消除與這些元件相關的功率損耗。它采用創(chuàng)新的 控制技術，可在整個輸出負載、輸入線電壓，甚至是輸入線周期內(nèi)調(diào)整開關頻率。這項控制技術能夠提高轉(zhuǎn)換器在整個負載范圍內(nèi)的效率，特別是輕載條件下的效 率。此外，該控制技術還能產(chǎn)生寬頻擴頻效應，從而大幅降低EMI濾波要求。HiperPFS具備Power Integrations的整套標準保護功能，例如集成軟啟動、欠壓保護、過壓保護、電壓緩升/跌落保護以及遲滯熱關斷保護。而且，HiperPFS還對 功率MOSFET進行逐周期限流，提供限制輸出功率的過載保護以及引腳到引腳短路保護。

主要優(yōu)勢

    適合升壓式功率因數(shù)校正(PFC)的單芯片解決方案

        滿足EN61000-3-2 Class C & D標準

    在10%及20%負載點的輕載效率高

        從10%負載點到滿載的效率均 >95%

        230 VAC輸入的空載功耗 <130 mW，且維持輸出穩(wěn)壓

        230 VAC輸入、處于遠程關斷狀態(tài)下的空載功耗 <50 mW

    在整個線電壓和線周期內(nèi)對頻率進行調(diào)整

        在 >60 kHz的頻率范圍內(nèi)進行擴頻，可簡化EMI濾波要求

        降低升壓電感

    提供高達1 kW的峰值輸出功率

        在功率限制穩(wěn)壓模式下，峰值輸出功率 >1 kW

        集成了控制、柵極驅(qū)動和高壓功率MOSFET

        內(nèi)部電流檢測可縮減元件數(shù)和系統(tǒng)損耗

    保護功能包括：欠壓(UV)保護、過壓(OV)保護、過熱保護(OTP)、電壓緩升/跌落保護、逐周期限流以及過載功率限制保護

    無鹵素和符合RoHS