圖所示為采用INN2023K集成式電源控制器的低成本、極高效率充電器的電路，可提供5 V、2 A恒壓/恒流充電。

    這款單路5 V輸出充電器設計達到DoE 6級水平，符合EC CoC 5標準（實測效率84%，標準要求79%），并且空載輸入功率<10 mW。InnoSwitch-CH器件所具有高集成度可將總元件數從典型的45個以上減少到僅32個。U1內置的次級側同步整流(SR)控制器允許將昂貴的大電流肖特基勢壘二極管替換為成本較低的MOSFET，同時還可提高效率和消除熱點。采用次級側控制后，通常與SR有關的交越導通問題在所有情況下都將消除。

    輸入級要求采用一個小晶體管(RT1)，以防止浪涌電流超過D3-D6的規格，并導致保險絲F1斷開。

    電容C2和C4的總輸入電容足以85 VAC的滿功率輸出，轉換器能夠在下一個AC周期刷新輸入之前以最低DC電壓工作。DC電壓施加在T1的初級繞組上。InnoSwitch-CH IC中集成的MOSFET用于驅動初級繞組的另一側。

    由二極管D1、電阻R1和R14以及電容C1組成的低成本RCD箝位可在MOSFET關斷的一瞬間立即控制InnoSwitch-CH IC的峰值漏極電壓。該箝位有助于耗散存儲在變壓器T1漏抗中的能量，并將U1漏極引腳的關斷電壓尖峰控制到安全值。

    InnoSwitch-CH IC具有自啟動功能，當首次AC上電時，它使用內部高壓電流源對初級旁路引腳電容(C6)進行充電。在正常工作期間，初級側控制從變壓器T1的輔助繞組獲得供電。輔助（或偏置）繞組的輸出端由二極管D2進行整流，并由電容C5進行濾波。電阻R4可以將供應給InnoSwitch-CH IC (U1)初級旁路引腳的電流控制在接近IC供電電流的水平，用以降低空載輸入功率。

    輸出穩壓通過采用ON/OFF控制來實現，使能開關周期的數量根據輸出負載進行調整。在重負載下，大部分開關周期都被使能；在輕載或空載下，大部分周期都被禁止或跳過。一旦周期使能后，MOSFET將保持導通，直到初級電流逐漸增大到特定工作狀態的器件限流點。該IC設定了四種工作狀態（限流點），以使初級電流開關模式的頻率分量保持在音頻范圍之外，直到輕載時，變壓器磁通密度以及因此產生的音頻噪聲都處于極低水平。

    InnoSwitch-CH IC的次級側提供輸出電壓、輸出電流檢測并驅動提供同步整流的MOSFET。

    變壓器的次級分別由MOSFET Q1整流和由電容C10濾波。電阻R7和C9用來控制開關瞬態時的高頻振鈴，否則會產生輻射EMI。Q1的柵極由InnoSwitch-CH IC內的次級側控制器根據繞組電壓（通過電阻R5檢測）進行導通，并饋入IC的正激引腳。

    在連續導通模式下，Q1就在次級側下達初級側請求的新開關周期指令之前關斷。在非連續導通模式下，Q1會在MOSFET的電壓降降到約-24 mV閾值[VSR(TH)]以下時關斷。

    由于SR和初級MOSFET控制都位于次級側，因此兩個MOSFET發生交越導通的任何可能性均已消除。反過來，可將Q1的導通時間盡量延長，以實現最低損耗，同時允許省去并聯肖特基二極管和/或使用較低成本的高RDS(ON)器件，以實現與獨立SR控制器相同的效率。

    InnoSwitch-CH IC的次級側從次級繞組正向電壓或輸出電壓自行供電。連接至InnoSwitch-CH IC (U1)次級旁路引腳的電容C7可提供內部電路去耦。

    在恒流(CC)工作期間，當輸出電壓降低時，器件將直接從次級繞組自行供電。在初級側功率MOSFET導通期間，出現于次級繞組的正向電壓用于通過電阻R5和內部穩壓器對去耦電容C7充電。這可以使恒流輸出調節維持在2.5 V以下。在此水平之下時，電源會進入自動重啟動模式，直到輸出負載降低。

    輸出電流通過一個約33 mV (ISV(TH))的閾值在ISENSE與次級接地引腳之間進行內部檢測，用以降低損耗。一旦超過內部電流檢測閾值，器件將調節開關脈沖數以維持固定的輸出電流。

    低于恒流閾值時，器件在恒壓模式下工作。輸出電壓通過電阻分壓器R8和R9進行檢測。對輸出電壓進行調節，以便在反饋引腳實現1.265 V的電壓。電容C15為反饋引腳提供去耦，可確保穩定工作并防止開關噪聲耦合至IC。