全橋電磁加熱,模塊損壞的問題
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@qilong370
這個問題,很多人都是一頭霧水,沒有遇到過,說不太可能,實際上就出現(xiàn)這樣的問題。并不是什么主回路啊驅(qū)動啊的問題。
所以我還是那句老話,把高三的電學(xué)去學(xué)學(xué)透,基本的理論都在那里。學(xué)好就夠用了。
沒有什么高深的學(xué)問。關(guān)鍵是你如何活學(xué)活用了。
hrrop0765 發(fā)了很多波形圖及計算公式,本來極簡單的事反而復(fù)雜化了。所以我建議他用個變壓器作輸出匹配,做過這個試驗,一切就很簡單。
在此我提醒一下,有了變壓器變換阻抗,它可以把負(fù)載阻抗及磁路全部給你匹配好,當(dāng)然你只會發(fā)現(xiàn)電路阻抗匹配了,更本不會注意到它把磁路耦合也匹配好了。
所以沒有用輸出變壓器的,要做很多試驗來匹配磁路達(dá)到最佳耦合,不然的話你做不到最佳。不這樣做,感應(yīng)加熱的熱效率能做到96%以上嗎?
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@igbtsy
所以我還是那句老話,把高三的電學(xué)去學(xué)學(xué)透,基本的理論都在那里。學(xué)好就夠用了。沒有什么高深的學(xué)問。關(guān)鍵是你如何活學(xué)活用了。hrrop0765發(fā)了很多波形圖及計算公式,本來極簡單的事反而復(fù)雜化了。所以我建議他用個變壓器作輸出匹配,做過這個試驗,一切就很簡單。在此我提醒一下,有了變壓器變換阻抗,它可以把負(fù)載阻抗及磁路全部給你匹配好,當(dāng)然你只會發(fā)現(xiàn)電路阻抗匹配了,更本不會注意到它把磁路耦合也匹配好了。所以沒有用輸出變壓器的,要做很多試驗來匹配磁路達(dá)到最佳耦合,不然的話你做不到最佳。不這樣做,感應(yīng)加熱的熱效率能做到96%以上嗎?
C1和C2有區(qū)別嗎?
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@meishoukui
C1和C2有區(qū)別嗎?
現(xiàn)在做了那么多實驗 終于明白 模塊老是壞的問題了 ,不光是容性的原因, IGBT的開關(guān)狀態(tài) ,負(fù)載的電流和負(fù)載特性的變化,都會影響,特別是低頻情況下負(fù)載高溫下,輸出特性變化,IGBT電流大。現(xiàn)在換成電流閉環(huán)控制,以輸出電流來控制負(fù)載,讓機(jī)器隨著負(fù)載變化而自己調(diào)整就可以做到不壞模塊 。用移相來鎖定相位,保持在IGBT ZVS狀態(tài),以降頻率和移相同步控制,保持機(jī)器工作在弱感性區(qū),同時檢測輸出電流,按額定輸出電流120%做保護(hù)點,到達(dá)保護(hù)點程序PWM升頻,并且增大移相角度,減小占空比達(dá)到降功的目的,以輸出電流為準(zhǔn) ,可控制機(jī)器在負(fù)載高溫下持續(xù)工作。負(fù)載電流始終保持模塊額定電流。機(jī)器小功率工作,當(dāng)移相腳增大到80%時,報故障代碼,并停機(jī)。還有負(fù)載槽路要匹配合適。L C的參數(shù)要確定。負(fù)載阻抗也要匹配。這是我的體會。
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@qilong370
現(xiàn)在做了那么多實驗終于明白模塊老是壞的問題了,不光是容性的原因,IGBT的開關(guān)狀態(tài),負(fù)載的電流和負(fù)載特性的變化,都會影響,特別是低頻情況下負(fù)載高溫下,輸出特性變化,IGBT電流大。現(xiàn)在換成電流閉環(huán)控制,以輸出電流來控制負(fù)載,讓機(jī)器隨著負(fù)載變化而自己調(diào)整就可以做到不壞模塊。用移相來鎖定相位,保持在IGBTZVS狀態(tài),以降頻率和移相同步控制,保持機(jī)器工作在弱感性區(qū),同時檢測輸出電流,按額定輸出電流120%做保護(hù)點,到達(dá)保護(hù)點程序PWM升頻,并且增大移相角度,減小占空比達(dá)到降功的目的,以輸出電流為準(zhǔn),可控制機(jī)器在負(fù)載高溫下持續(xù)工作。負(fù)載電流始終保持模塊額定電流。機(jī)器小功率工作,當(dāng)移相腳增大到80%時,報故障代碼,并停機(jī)。還有負(fù)載槽路要匹配合適。LC的參數(shù)要確定。負(fù)載阻抗也要匹配。這是我的體會。
降頻和移相如何同時控制呀?
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