有沒有大神深研究過QR的諧振波谷電壓能低到多少？
諧振開關即可以做到ZVS，在MOS的DS電壓為0時導通。準諧振QR雖然做不到ZVS，但是可以諧振到波谷導通。那么這個波谷電壓受什么影響，能不能調節到盡可能的低？低到多少程度？有沒有大神給大家解釋下。
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@rj44444
輸入電壓減去反射電壓就是開通時的谷值電壓。反射電壓取得越高，就越接近ZVS，但是這在寬范圍輸入時是不現實的，因為會導致低壓輸入時開關管續流二極管導通，影響效率。
謝謝你的回答，那就是說如果前級有PFC的話，在后級反激MOS管能夠承受的情況下，進可能提高反激變壓器的匝比，此時電源效率最高？我現在做60W的LED電源，輸出32V，1.7A，用L6562+FAN6300A的方案，在277V輸入效率最高為89%，整流二極管用20A的肖特基，工作在第一波谷，頻率70KHZ，變壓器匝比為3.2857，我嘗試優化發現效率很難再上去了。你有什么高見可以給指導下？謝謝！
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@zth6868
謝謝你的回答，那就是說如果前級有PFC的話，在后級反激MOS管能夠承受的情況下，進可能提高反激變壓器的匝比，此時電源效率最高？我現在做60W的LED電源，輸出32V，1.7A，用L6562+FAN6300A的方案，在277V輸入效率最高為89%，整流二極管用20A的肖特基，工作在第一波谷，頻率70KHZ，變壓器匝比為3.2857，我嘗試優化發現效率很難再上去了。你有什么高見可以給指導下？謝謝！
QR的谷值開通對效率的提升不一定有你想象的那么大。反射電壓越高，要保持頻率不變的話，初級電感量就會越大。QR反射電壓一般取到一百多V就差不多了，你想提升效率，第一是減小漏感，第二是降低頻率。
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@rj44444
QR的谷值開通對效率的提升不一定有你想象的那么大。反射電壓越高，要保持頻率不變的話，初級電感量就會越大。QR反射電壓一般取到一百多V就差不多了，你想提升效率，第一是減小漏感，第二是降低頻率。
變壓器采用夾心繞法，在1.0V,1KHZ下測試漏感在1.5%左右，這已經是很低了。
目前我的反射電壓取的就是105V，鉗位電壓在145V，這樣我的反激MOS管800V足夠，整流二極管用200V肖特基也足夠。
頻率做到70K，我這個電源是反激先啟動，然后給pfc供電啟動，那么在最低電壓時（102V輸入），頻率在35K左右。我試過電源穩定工作時在60KHZ，效率基本沒變化。
其它能優化的我也都想過了，但效率最大就是89%。論壇里動不動效率就92%，93%的，不知道他們怎么做到的。
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@zth6868
變壓器采用夾心繞法，在1.0V,1KHZ下測試漏感在1.5%左右，這已經是很低了。目前我的反射電壓取的就是105V，鉗位電壓在145V，這樣我的反激MOS管800V足夠，整流二極管用200V肖特基也足夠。頻率做到70K，我這個電源是反激先啟動，然后給pfc供電啟動，那么在最低電壓時（102V輸入），頻率在35K左右。我試過電源穩定工作時在60KHZ，效率基本沒變化。其它能優化的我也都想過了，但效率最大就是89%。論壇里動不動效率就92%，93%的，不知道他們怎么做到的。
你說的動輒92%的效率一般是不包括APFC的吧。反射電壓105V，鉗位電壓145V設定太低了，這會影響效率。
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