概述
TP5125是一款專用于LED非隔離降壓型恒流驅動集成電路，系統工作在谷底開關模式，轉換效率高，EMI低，PF可調節至0.9，輸出電流自動適應電感的感量變化和輸出電壓的變化，從而真正實現了恒流驅動LED。
TP5125內部集成500V功率的MOSFET,采用DIP8封裝，輸出高達240mA的電流,外圍只需要很少的器件就可以達到優異的恒流輸出。
TP5125內部集成了豐富的保護功能，包括過壓保護，短路保護，逐周期電流保護，溫度保護和軟啟動等。
TP5125采用智能熱響應抑制技術，自動抑制LED燈的系統溫升。
TP5125具有極低的啟動電流和工作電流，可在全電壓交流輸入（85VAC-265VAC）范圍內高效驅動LED。
管腳排列
特點
l內置500V功率MOSFET
l無需輔助線圈供電，外圍元件少
l谷底開關，高效率，低EMI
lPF可調節至0.9
l自動補償電感的感量變化
l自動適應輸出電壓變化
l短路保護
l溫度保護
l過壓保護/開路保護
l智能熱響應抑制，自動抑制LED燈的系統溫升
l即開即亮啟動技術
l工作溫度：- 40 ~ 100℃
應用范圍
LED照明
- -
管腳描述
|
管腳號 |
引腳名稱 |
I/O |
引腳功能 |
1 |
NC |
|
Not Connected |
2 |
VCC |
I/O |
電源端 |
3 |
ZCD |
I |
反饋信號輸入端 |
4 |
CS |
O |
內部高壓MOS管的源端 |
5,6 |
D |
|
內部高壓MOS管的漏端 |
7 |
GND |
I/O |
接地端 |
8 |
GND |
I/O POW |
接地端 |
極限參數
|
參數名稱 |
符號 |
最大工作范圍 |
單位 |
電源電壓 |
VCC |
-0.3~8.5 |
V |
輸入端電壓 |
VI |
-0.3~Vcc+0.3 |
V |
輸出端電壓 |
VO |
-0.3~Vcc+0.3 |
V |
D端電壓 |
VD |
-0.3~500 |
V |
功耗(在25℃時) |
DIP8 |
PD |
900 |
mW |
熱阻(在25℃時) |
DIP8 |
?JA |
110 |
℃/W |
ESD保護（人體模式） |
ESD |
2000 |
V |
儲存溫度 |
TSTG |
-55~150 |
℃ |
結溫 |
|
150 |
℃ |
焊接溫度（錫焊，10秒） |
|
300 |
℃ |
注：超出極限參數可能導致器件永久損壞。在極限條件下工作，技術指標得不到保證，長期在這樣的工作條件下還會影響可靠性
電氣參數(除非特別注明，TA=25℃)
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參數名稱 |
符號 |
測試條件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
內置穩壓器電壓 |
VCC |
VCC灌入1mA電流 |
7.5 |
7.9 |
8.2 |
V |
VCC最大灌入電流 |
IVCC |
VCC灌入電流 |
|
1 |
5 |
mA |
最低VCC電壓 |
VUVLO |
VCC上升，Hys=0.3V |
|
6.9 |
|
V |
啟動電流 |
IST |
VCC灌入電流 |
|
|
300 |
uA |
CS端閾值電壓 |
VCS |
TA=-45℃~85℃ |
444 |
455 |
466 |
mV |
最小on time |
TON(min) |
設計電感值不要低于最大值 |
300 |
|
800 |
nS |
ZCD端輸出過壓保護 |
Vovp |
|
2.0 |
2.2 |
2.4 |
V |
熱關斷保護溫度 |
TSD |
|
|
140 |
|
℃ |
溫度保護遲滯 |
|
|
|
20 |
|
℃ |
高壓MOS導通電阻 |
|
|
|
7 |
8.5 |
Ω |
MOS漏源擊穿電壓 |
VDS(BV) |
|
500 |
|
|
V |
功能框圖
|
典型應用圖
應用信息
TP5125是非隔離降壓型恒流驅動集成電路,內部集成高壓500V的MOSFET,采用DIP8封裝,LED電流可以輸出高達240mA，TP5125采用谷底開關模式,自適應電感感量和輸出電壓的變化,只需要很少的外圍器件來實現恒流驅動 LED。
芯片啟動和供電
TP5125工作電流小，由母線通過啟動電阻直接給芯片供電。
采樣電阻
TP5125是一款專用于 LED非隔離降壓型控制器，系統工作在谷底開關模式,只需要很少的外圍器件即可實現高精度的恒流輸出。芯片逐周期的檢測電感上的峰值電流，CS端連接芯片內部，并與內部基準電壓VREF進行比較，當 CS達到內部閾值時，系統會關掉內部功率管。
電感峰值電流的計算公式：
其中Rcs為電流檢測電阻阻值，VREF為內部電壓基準
LED平均電流為：
電感設計
TP5125是采用谷底開關模式，系統上電后內部功率管導通，電感電流逐漸上升，當電感電流上升到IPK
時，內部功率管關斷。
內部功率管的導通時間：
Ton=L*IPKVin-VLED
其中，L為電感的電感量，VIN
是輸入交流整流后的直流電壓，VLED
是輸出 LED 的正向壓降當內部功率管關斷后，電感上電流從峰值開始逐漸下降，當電感上電流下降到 0 時，內部功率管開啟。
功率管的關斷時間如下：
TOFF=L*IPKVLED
電感的計算公式如下：
L=VIN-VLED*Vf*VIN*IPK
其中 f 為系統的工作頻率，當L、VLED、IPK一定時，工作頻率隨VIN的升高而升高。所以設計系統工作頻率，在最小VIN時，不能讓系統進入音頻范圍內(一般不要低于 20k~25kHz)，在最高VIN時又不能使系統的工作頻率太高，不要高于 100kHz（頻率太高，功率管功耗太大）。建議工作頻率范圍在30-100KHz，當輸出大電流大功率時，頻率盡量控制在 60KHz 以下。
ZCD電壓檢測
ZCD端的電壓決定了系統的工作狀態,當ZCD端電壓大于2.2V(典型值) ，TP5125會自動判斷為輸出過壓保護并鎖死。
輸出過壓保護
TP5125內部集成了輸出開路保護，TP5125一旦檢測到輸出開路，系統會關斷內部高壓MOS，并鎖死，直到電源重啟。
輸出短路保護
TP5125內部集成了輸出短路保護，TP5125一旦檢測到輸出短路，系統會自動進入綠色低頻模式，,直到短路保護條件除去。
過熱保護
TP5125內部集成了過熱保護功能,觸發過熱保護溫度為典型 140℃，當TP5125被觸發過熱保護后,芯片只有降到 120℃之后，才能重新正常工作。
功率因素校正
當系統有功率因素要求時，可采用一個簡單的無源功率因素校正電路(填谷式)，該電路包含 3個二極管 2個電容可將系統功率因素提高到 0.9以上。
封裝尺寸
DIP8封裝外形圖及尺寸
