1979年成立的LG半導體是 MagnaChip的母體,2004年從海力士的非半導體存儲器事業部門獨立出來,以 MagnaChip半導體的身份全新起航。
韓國美格納半導體功率器件
韓國美格納
IGBT:1200V/50A-300A 新一代軟穿通型技術,IGBT模塊1200V標準壓降僅1.8V,特別適合于軟開發開關領域:低飽和壓降,低開關損耗,寬安全工作區。
MPMB50B120RH 原韓國大衛 DM2G50SH12A 小體積
MPMB75B120RH 原韓國大衛 DM2G75SH12A 小體積
MPMB100B120RH 原韓國大衛 DM2G100SH12AE 小體積
MPMD100B120RH 原韓國大衛 DM2G100SH12AL 大體積
MPMD150B120RH 原韓國大衛 DM2G150SH12A 大體積
MPMD200B120RH 原韓國大衛 DM2G200SH12A 大體積
MPMD300B120RH 原韓國大衛 DM2G300SH12A 大體積
FRD:400V-1200V 60A-300A 規格齊全,性能優異,EAS特性更好,恢復時間短。
MPJC2CA100U40 原韓國大衛 DH2F100N4S 封裝:3DM-2
MPJC2CA150U40 原韓國大衛 DH2F150N4S 封裝:3DM-2
MPJC2CA200U40 原韓國大衛 DH2F200N4S 封裝:3DM-2
MPKB2CA100U40 原韓國大衛 DAC2F100N4S 封裝:5DM-1 共陰電路
MPKB2SA100U40 原韓國大衛 DA2F100N4S 封裝:5DM-1 共陰電路
MPKC2CA150U40 原韓國大衛 DBC2F150N4S 封裝:5DM-2 共陰電路
MPKC2SA150U40 原韓國大衛 DB2F150N4S 封裝:5DM-2 共陰電路
MPKC2CA200U40 原韓國大衛 DBC2F200N4S 封裝:5DM-2 共陰電路
MPKC2SA200U40 原韓國大衛 DB2F200N4S 封裝:5DM-2 共陰電路
MPGB1N300U60 原韓國大衛 DSIF300N6S 封裝:2DM-1
MPJC2CA100U60 原韓國大衛 DH2F100N6S 封裝:3DM-2
MPJC2CA150U60 原韓國大衛 DH2F150N6S 封裝:3DM-2
MPKB2CA100U60 原韓國大衛 DAC2F100N6S 封裝:5DM-1 共陰電路
MPKB2CB100U60 原韓國大衛 DAC2F100P6S 封裝:5DM-1 共陽電路
MPKB2CA150U60 原韓國大衛 DAC2F150N6S 封裝:5DM-1 共陰電路
MPKC2CA15U60 原韓國大衛 DBC2F150N6S 封裝:5DM-2 共陰電路
MPKC2CB150U60 原韓國大衛 DBC2F150N6S 封裝:5DM-2 共陰電路
MPKC2CA200U60 原韓國大衛 DBC2F200N6S 封裝:5DM-2 共陰電路
MPKC2CB200U60 原韓國大衛 DBC2F200P6S 封裝:5DM-2 共陽電路
MPKC2SA150U60 原韓國大衛 DB2F150N6S 封裝:5DM-2 共陰電路
MPKC2SB150U60 原韓國大衛 DB2F150P6S 封裝:5DM-2 共陽電路
MPKC2SA200U60 原韓國大衛 DB2F200N6S 封裝:5DM-2 共陰電路
MPKC2SB200U60 原韓國大衛 DB2F200P6S 封裝:5DM-2 共陽電路
MPSC2N100U60 原韓國大衛 DWM100X2-06U DWM90X2-06NP
MPKB2SA100U120 原韓國大衛 DA2F100N12S 封裝:5DM-1 共陰電路
MPKB2SB100U120 原韓國大衛 DA2F100P12S 封裝:5DM-1 共陽電路
MPKB2SA75U120 原韓國大衛 DA2F75N12S 封裝:5DM-1 共陰電路
MPKC1N450U120 1單元450A 1200V 封裝:5DM-2
MPSC2N60U120 原韓國大衛 DWM60X2-12N 封裝:SOT-227
MPSC2N100U120 原韓國大衛 DWM100X2-12N 封裝:SOT-227