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關于去耦電容旁路電容的容值對于電源驅動的影響

現在調試一款電源,基于2153加圖騰芯片UCC27519驅動mos管半橋式電源,開關頻率為20kHz,UCC27519的VDD與地之間的電容值為1UF與1nF并聯使用,貼片電容。電源輸出電壓為20kV,為防止拉弧現象出現,設計了放電保護電路,現在問題是在放電保護過程中(長時間放電保護測試),UCC27519芯片很容易損壞,不同的去耦電容組合損壞的時間不一樣,如1uF與1UF,放電2小時損壞,1uF與1nF 放電2天會壞,我知道小電容高頻阻抗低,很容易濾除一定頻率下的高頻信號,求高手給點電容匹配的建議。謝謝

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zl1026542
LV.2
2
2014-09-10 10:19
自己頂,別沉了
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