Vicor 首個(gè)采用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品平臺的非隔離穩(wěn)壓器
創(chuàng)新的零電壓開關(guān)(ZVS)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持高效率操作
高度硅集成, 結(jié)合高密度封裝, 提高電源功率密度
實(shí)現(xiàn)高電壓至低負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換
隨后發(fā)布其他零電壓降壓、零電壓升降壓、和零電壓升壓穩(wěn)壓器
為何需要零電壓開關(guān)(ZVS)?
對于更高效率,密度和功率處理的需求不斷增加
需要更高的Vin/Vout轉(zhuǎn)換比例及更高的開關(guān)頻率
功率半導(dǎo)體同行已成就下列幾項(xiàng)改進(jìn):硅集成- MOSFET 技術(shù)- 封裝技術(shù)
但這些改進(jìn)都不能滿足行業(yè)的需求- 開關(guān)損耗繼續(xù)影響產(chǎn)品性能
Picor引入一個(gè)高性能、高度集成、軟開關(guān)降壓穩(wěn)壓器模塊, 可高頻工作,大幅度地降低開關(guān)損耗, 提高效率
那些因素阻礙現(xiàn)有技術(shù)發(fā)展?
1.硬開關(guān)– 現(xiàn)今,大多數(shù)非隔離降壓穩(wěn)壓器拓?fù)涞拈_關(guān)損耗都很大。原因是在導(dǎo)通和關(guān)斷期間,MOSFET 同時(shí)抵受高電流和高電壓應(yīng)力。當(dāng)開關(guān)頻率與輸入電壓增高時(shí),這些損耗同時(shí)增大,局限了其可以達(dá)到的最高工作頻率、效率和功率密度。
2.柵極驅(qū)動損耗– 由于柵極驅(qū)動電路內(nèi)的米勒電荷的功耗較高, 導(dǎo)至硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動損耗也較高。
3.體二極管傳導(dǎo)– 當(dāng)高電平端MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)閉時(shí), 高脈動電流通過低電平端MOSFET 本身的體二極管。體二極管導(dǎo)通的時(shí)間越長,反向恢復(fù)損耗和體二極管傳導(dǎo)損耗便愈高。體二極管傳導(dǎo)也會造成破壞性的過沖和振鈴
VICOR零電壓開關(guān)ZVS-BUCK拓?fù)涞膬?yōu)點(diǎn)
1.零電壓開關(guān)(ZVS)的開關(guān)損耗很低
2.理想的整流開關(guān),體二極管傳導(dǎo)時(shí)間極短
3.高輸入電壓仍保持高頻率操作
4.內(nèi)部補(bǔ)償簡單的,允許高帶寬,增益和相位裕度
5.由于輸出電感細(xì)小,高開關(guān)頻率和寬帶寬反饋環(huán)路,只需細(xì)小輸出電容,瞬態(tài)響應(yīng)非常快速
6.導(dǎo)通時(shí)間最短20ns,支持36:1 的高比率轉(zhuǎn)換
zvs最主要是降低紋波和噪音吧?