原理很簡單，論壇理由很多朋友也是這么做的，當然也有問題，功率MOS發熱很嚴重，并聯MOS并不是最好的方案，
因為電子負載是用它的線性部分，柵極電壓對應的導通電流是各有差別的，而且很小的電壓差就對應很大的導通電流差。
要均流好只有每個MOSFET用獨立的運放和采樣電阻。當然學生黨只是暑假無聊自己在玩玩而已。
但遇到一個問題：
當上圖中“藍色字”處，即MOS的漏極與GND之間不并聯大電容的時候，遇到以下情況：不串入電流表進行標定的時候，電流可以恒定，但一旦串入電流表，恒流值大幅度下降，電流達到一定程度開始抖動不穩定。DA的輸入值也受到很大影響。
但當上樹大電容串入的時候，雖然DA與預定值有一定的差值，但相差幅度很小，電流值可以穩定。
這里就是想問下，為什么加個大電容就能夠穩定恒流值，且不受到電流表串入時候的影響。
以下為實物圖片：（注意大電容）
