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原理圖如下:
我的MOS管用的是IR75N75,溫度也還是65度多哦
你的Cf1太大了,這個尖峰濾除的時間常數應該遠小于開關周期,另外,沒有隔離,你搞個光耦完全多次一舉呀
該電路Vout+/-以及負載電路部分相對于高壓地或Uin電源,會有0-Uin的高頻壓差,兩部分電路的面積都不小,相當于兩極天線,會有很大的輻射干擾。你不妨將L1改到MOS的D極與C3的負極之間,這樣一來,Vout+/-以及負載電路部分與高壓Uin及高壓地之間只有直流的壓差,即Uin與Vout+等電位。這樣是否可以工作?
MOS發熱主要是開/關狀態不理想,I*V導致。需要檢查GD電壓、S電流波形,根據波形判斷開關狀態的實際情況。
圖紙以上傳,大家都 請看一下,解決了發熱問題請說一下怎么解決的。謝謝
UC3842-48TO12